Патенты с меткой «микросхем»

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: интегральных, поликристаллического, кремния, пленкой, изготовлении, пластин, реставрации, способ, микросхем

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: производства, способ, титана, формирования, силицида, интегральных, микросхем, пленки

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/12

Метки: полимера, удаления, способ, контактных, интегральных, микросхем, изготовлении, окнах

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Сенько Сергей Федорович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Емельянов Антон Викторович, Хмыль Александр Александрович, Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральных, микросхем, конденсатор

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Материал для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна

МПК: H01C 7/00, C22C 28/00

Метки: резистивных, тонкопленочных, микросхем, материал, элементов, интегральных

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, изготовлении, источников, способ, диффузии, полупроводниковых, бора, микросхем, приборов, твердых

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: удаления, металло-кремнийорганических, остатков, состав, изготовлении, интегральных, кремниевых, микросхем, полимерных

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Войтех Сергей Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: конденсатор, интегральных, микросхем

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Способ изготовления межкомпонентной изоляции интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 6943

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Прудник Александр Михайлович, Болдышева Ирина Петровна, Лыньков Леонид Михайлович

МПК: H01L 21/76

Метки: интегральных, микросхем, межкомпонентной, изоляции, способ, изготовления

Текст:

...степень интеграции компонентов ИМС.Так, с разрешающей способностью литографии 3,6 мкм по цирконию, после операции гидрирования металла, толщиной 1 мкм зазор получается равным 1 мкм, что дает вь 1 игрь 1 ш 3 мкм на каждой разделительной канавке.Способ позволяет повысить степень интеграции компонентов интегральных схем, а также существенно снизить температуру обработки металла.На фиг. 1 (а-е) изображены отдельные этапы технологического процесса...

Способ отбраковки микросхем

Загрузка...

Номер патента: 4524

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Попов Юрий Петрович, Бакуменко Валерий Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01R 31/28

Метки: отбраковки, микросхем, способ

Текст:

...управляющий сигнал для источника питания 5, под которого источник 5 плавно изменяет напряжение питания МСв сторону уменьшения, за пределы установленного в технических условиях рабочего диапазона. При этом устройство управления 4 фиксирует первое значение напряжения питания 1, при котором имеет место первое несовпадение считанной информации с эталоном. Номер отказавшей тестовой последовательности (далее - теста) не запоминается. Далее...

Способ изготовления металлизации интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Дударчик А. И., Лабунов В. А., Мозалев А. М., Михайлова Л. Н., Сурганов В. Ф., Попов Ю. П., Ерема В. В., Захарчук А. С.

МПК: H01L 21/28

Метки: способ, металлизации, изготовления, интегральных, микросхем

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...