Патенты с меткой «микросхем»

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: реставрации, кремния, изготовлении, интегральных, микросхем, способ, поликристаллического, пленкой, пластин

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Трусов Виктор Леонидович, Солодуха Виталий Александрович, Колос Владимир Владимирович

МПК: B08B 7/00, H01L 21/44

Метки: микросхем, титана, интегральных, способ, формирования, силицида, производства, пленки

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: полимера, контактных, удаления, микросхем, способ, окнах, изготовлении, интегральных

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Алиева Наталья Васильевна, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Трусов Виктор Леонидович, Хмыль Александр Александрович

МПК: H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Материал для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01C 7/00, C22C 28/00

Метки: тонкопленочных, резистивных, интегральных, микросхем, элементов, материал

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, бора, диффузии, твердых, полупроводниковых, источников, способ, микросхем, приборов, интегральных

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: интегральных, кремниевых, микросхем, металло-кремнийорганических, удаления, полимерных, остатков, изготовлении, состав

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Малый Игорь Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: конденсатор, микросхем, интегральных

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Дудкин Александр Иванович, Шильцев Владимир Викторович, Войтех Сергей Николаевич

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: интегральных, микросхем, конденсатор

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Способ изготовления межкомпонентной изоляции интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 6943

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Прудник Александр Михайлович, Болдышева Ирина Петровна

МПК: H01L 21/76

Метки: межкомпонентной, изоляции, интегральных, способ, микросхем, изготовления

Текст:

...степень интеграции компонентов ИМС.Так, с разрешающей способностью литографии 3,6 мкм по цирконию, после операции гидрирования металла, толщиной 1 мкм зазор получается равным 1 мкм, что дает вь 1 игрь 1 ш 3 мкм на каждой разделительной канавке.Способ позволяет повысить степень интеграции компонентов интегральных схем, а также существенно снизить температуру обработки металла.На фиг. 1 (а-е) изображены отдельные этапы технологического процесса...

Способ отбраковки микросхем

Загрузка...

Номер патента: 4524

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Бакуменко Валерий Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Попов Юрий Петрович

МПК: G01R 31/28

Метки: микросхем, способ, отбраковки

Текст:

...управляющий сигнал для источника питания 5, под которого источник 5 плавно изменяет напряжение питания МСв сторону уменьшения, за пределы установленного в технических условиях рабочего диапазона. При этом устройство управления 4 фиксирует первое значение напряжения питания 1, при котором имеет место первое несовпадение считанной информации с эталоном. Номер отказавшей тестовой последовательности (далее - теста) не запоминается. Далее...

Способ изготовления металлизации интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Сурганов В. Ф., Захарчук А. С., Дударчик А. И., Михайлова Л. Н., Попов Ю. П., Мозалев А. М., Ерема В. В., Лабунов В. А.

МПК: H01L 21/28

Метки: способ, интегральных, микросхем, металлизации, изготовления

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...