Патенты с меткой «межуровневая»

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, диэлектрическая, изоляция, приборов, полупроводниковых

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, диэлектрическая, межуровневая, полупроводниковых, приборов

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14318

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, диэлектрическая, изоляция, межуровневая, полупроводникового

Текст:

...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...

Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: U 6196

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, межуровневая, полупроводникового, диэлектрическая, изоляция

Текст:

...дефектов. Кроме того, пленки нитрида кремния характеризуются высокими барьерными свойствами по отношению к катионным загрязнениям, что обеспечивает дополнительные преимущества заявляемой конструкции. Минимальная толщина нитрида кремния, равная 0,02 мкм, обусловлена тем, что при меньших значениях существующие методы получения таких пленок не обеспечивают их сплошность, формируемая пленка носит островковый характер. Кроме того, в процессе...