Патенты с меткой «металлизации»

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Подковщиков Николай Николаевич

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: полупроводникового, прибора, кристалла, формирования, обратной, металлизации, способ, стороны

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 17627

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Выговский Станислав Вячеславович, Рубцевич Иван Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 41/51

Метки: алюмооксидных, керамических, изоляторов, металлизации, способ

Текст:

...температурой от 40 до 50 С. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При вжигании металлизации при температуре ниже 1640 С и барботировании азота с водородом при температуре воды менее 40 С повышается пористость металлизации на границе с керамикой и образуется пограничный слой неравномерной толщины, что приводит к снижению вакуумной плотности паяных...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, удаления, изготовлении, приборов, металлизации, состав, системы, фоторезиста

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, способ, изготовления, приборов, металлизации, полупроводниковых

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Способ термовакуумной металлизации феррит-гранатов

Загрузка...

Номер патента: 15327

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Францкевич Константин Викторович, Асташенко Сергей Георгиевич, Непокойчицкий Анатолий Григорьевич, Игнатов Борис Иванович

МПК: C04B 37/02

Метки: феррит-гранатов, металлизации, способ, термовакуумной

Текст:

...при одностороннем поверхностном подводе тепла. Напыление титана и молибдена осуществляется из вольфрамового испарителя. Напыление меди производится из молибденового испарителя. Массовое соотношение навесок титана и молибдена принято 25, массовое соотношение меди и молибдена принято 11. Для получения равновесной структуры металлического покрытия проводят диффузионный отжиг при температуре от 575 до 675 К в течение от 8 до 10 минут....

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Добриян Татьяна Сергеевна, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: C04B 41/88, C04B 41/80

Метки: изоляторов, керамических, способ, алюмооксидных, металлизации

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, системы, металлизации, способ, изготовления, приборов, кремниевых

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Способ металлизации ферритовой детали

Загрузка...

Номер патента: 12573

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Францкевич Константин Викторович, Непокойчицкий Анатолий Григорьевич, Игнатов Борис Иванович, Асташенко Сергей Георгиевич

МПК: C04B 41/88, B23K 1/20

Метки: детали, ферритовой, способ, металлизации

Текст:

...покрытий, так как изза периодических срывов стабильности электрического разряда между перемещающимся электродом и оксидом поверхность становится бугристой. Кроме того, под действием разряда происходит плавление меди, а образовавшийся слой после остывания ввиду различия коэффициента термического расширения меди и оксида имеет низкую адгезию к основе. Все вышеперечисленные методы направлены на изыскание путей получения качественных...

Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, способ, металлизации, изготовления, прибора, системы

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Способ изготовления системы металлизации кремниевого полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, кремниевого, изготовления, системы, способ, металлизации, полупроводникового

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, системы, способ, прибора, металлизации, изготовления

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 23/52...

Метки: приборов, кремниевых, полупроводниковых, металлизации, системы, изготовления, способ

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9585

Опубликовано: 30.08.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: полупроводниковых, изготовления, способ, кремниевых, приборов, системы, металлизации

Текст:

...пленки, в том числе и в составе рассматриваемой системы, зависит от глубины. На границе с барьерным слоем поликристаллического или аморфного кремния металлическая пленка является мелкокристаллической. Это обусловлено как особенностями конденсации пленки на подложке при ее вакуумном напылении,так и последующим их взаимодействием. Более высокая концентрация кремния в металлической пленке со стороны подложки приводит к меньшему размеру...

Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины

Загрузка...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: способ, формирования, стороны, обратной, пластины, кремниевой, металлизации

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Способ изготовления системы металлизации интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/00, H01L 21/28, H01L 21/02...

Метки: системы, схем, изготовления, металлизации, способ, интегральных

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Устройство для электродуговой металлизации

Загрузка...

Номер патента: U 1588

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Буйкус Кястас Вито

МПК: B05B 7/22

Метки: электродуговой, металлизации, устройство

Текст:

...результат достигается тем, что в устройстве для электродуговой металлизации, содержащем проволочные электроды, направляющие, распылительное сопло,токоподводящие элементы, помещенные в два корпуса и прижатые к соответствующим электродам, направляющие и корпусы подключены к источнику тока, каждый токоподводящий элемент состоит из отдельных щеток, каждая из которых электрически соединена с соответствующим корпусом и выполнена с возможностью...

Станок для центробежной металлизации втулок

Загрузка...

Номер патента: U 1499

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Буйкус Кястас Вито

МПК: B23K 9/00

Метки: центробежной, втулок, металлизации, станок

Текст:

...разрез А-А. Станок для центробежной металлизации втулок содержит станину 1, приводную бабку 2, обойму 3, электрододержатели 4 с электродами 5, механизм подачи проволоки 6, направляющую проволоки 7, присадочную проволоку 8, суппорт 9, продольную штангу 10,направляющую 11, поперечную штангу 12, подшипник скольжения 13, держатель 14,фиксаторы 15 и 16, систему 17 управления суппортом. Обойма 3 содержит лапы 18, оси 19 и болты 20. Система 17...

Устройство для электродуговой металлизации

Загрузка...

Номер патента: U 1448

Опубликовано: 30.06.2004

Автор: Буйкус Кястас Вито

МПК: B05B 7/22

Метки: электродуговой, устройство, металлизации

Текст:

...нагретого потока газа. Поставленная задача решается тем, что в устройстве для электродуговой металлизации, содержащем два расположенных под углом канала для направления плавящихся электродов, между которыми расположено сопло для подачи нагретого газа, камеру, выполненную с выходным распылительным соплом, соосным соплу для подачи нагретого потока газа, а каналы для направления плавящихся электродов и сопло для подачи нагретого потока...

Устройство для электродуговой металлизации

Загрузка...

Номер патента: 5967

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Буйкус Кястас Вито, Изоитко Владимир Михайлович, Прядко Александр Сергеевич

МПК: B05B 7/22

Метки: электродуговой, устройство, металлизации

Текст:

...материала шихты- коэффициент конвективной теплоотдачи Тс - температура газа в камере- коэффициент учета нагрева оболочки электрода посредством теплопроводности от внутренних стенок направляющей втулки, нагретой газом камеры- коэффициент учета количества отверстий в направляющей втулке- сила тока- удельное сопротивление материала оболочки- эффективный к.п.д.- коэффициент учета удельного сопротивления материала шихты- отношение...

Способ получения электропроводного подслоя для гальванической металлизации керамики

Загрузка...

Номер патента: 5600

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Проневич Игорь Иванович, Мельниченко Игорь Михайлович

МПК: C25D 5/54

Метки: получения, способ, подслоя, керамики, электропроводного, металлизации, гальванической

Текст:

...ниже оптимальной концентрации) слой имел неоднородность по площади и толщине и не был сплошным. Кроме того, при этом существенно возрастало удельное электросопротивление слоя. Полученный электропроводный сплошной слой обладает высокой прочностью, высокой адгезией к подложке и высокой электропроводностью. Последнее обеспечивает возможность нанесения на него меди, никеля или серебра электрохимическим способом, т.е. использование его в качестве...

Устройство для электродуговой металлизации

Загрузка...

Номер патента: U 699

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Буйкус Кястас Вито, Изоитко Владимир Михайлович

МПК: B05B 7/22

Метки: электродуговой, металлизации, устройство

Текст:

...частиц, движущихся по оси распыляющей струи. Устройство содержит камеру 1, внутри которой находится сопло 2, расположенное между направляющими 3 электродов 4. Сопло 2 соединено с камерой сгорания 5, в которую подаются по каналу 6 топливо, а по каналу 7 воздух. Камера 1 выполнена с выходным распылительным соплом 8, соосным соплу 2, в плоскости выходного отверстия которого расположена точка пересечения осей электродов 4. Направляющие 3...

Способ получения электропроводной плитки и масса для металлизации

Загрузка...

Номер патента: 3345

Опубликовано: 30.06.2000

Авторы: Подденежный Евгений Николаевич, Мельниченко Игорь Михайлович, Проневич Игорь Иванович

МПК: C04B 41/88

Метки: электропроводной, способ, получения, плитки, металлизации, масса

Текст:

...при следующем соотношении компонентов, в мас.порошок алюминия 1095 жидкое натриевое или жидкое калиевое стекло 590. Кроме того, масса дополнительно содержит воду в количестве 80-120 мас.ч. на 100 мас.ч. порошка алюминия. Заявляемый способ и масса связаны единым изобретательским замыслом, при этом масса является веществом, используемым в способе. Сущность изобретения заключается в следующем. При обжиге слоя реагентов, состоящего из порошка...

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Пилипенко Владимир Александрович, Пономарь Владимир Николаевич, Чигирь Григорий Григорьевич

МПК: H01L 21/324

Метки: приборов, способ, металлизации, схем, создания, полупроводниковых, интегральных

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Способ металлизации заготовок пьезокерамических элементов

Загрузка...

Номер патента: 1135

Опубликовано: 14.06.1996

Авторы: Марченко Игорь Викторович, Самойлов Владимир Васильевич, Баринов Владимир Николаевич, Аршавский Василий Иванович

МПК: C04B 41/88

Метки: заготовок, пьезокерамических, металлизации, способ, элементов

Текст:

...медного электрода, вышеуказанный технический результат достигается тем, что предварительно в едином технологическом цикле с вакуумным напылением проводят активирование поверхНОСТИ КСРЗМИЗШ ПУТЕМ ее ОЧИСТКИ В плазме высокочастотного разряда в среде аргона, а на основной слой медного электрода дополнительно наиыляют защитный слой ншцаля.В данном случае повышение прочности сцепления металла с керамикой, снижение трудоемкости и стоимости процесса...

Электропроводящая паста для металлизации необожженной конденсаторной керамики и способ ее получения

Загрузка...

Номер патента: 1011

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Федорова Г. М., Харламова Л. П., Чкалова В. Н., Самойлов В. В., Елисеева Л. И.

МПК: H01B 1/02

Метки: получения, необожженной, электропроводящая, паста, металлизации, способ, керамики, конденсаторной

Текст:

...обеспечивается тем, что она дополнительно содержит олеиновую кислоту, бензиловый спирт и дибутилфталат, а токопроводящий компонент образован ингредиентами из ряда Аз, Рт, Рс 1, сплав А - Рс 1,М, Со, при этом компоненты содержатся в следующем соотношении, мас.порошок токопроводшцего компонента 52,0 62,0а в способе получения электропроводящей пасты для металлизации необожженной конденсаторной керамики, при котором порошок...

Электродная паста для металлизации необожженной конденсаторной керамики и способ ее получения

Загрузка...

Номер патента: 1008

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Чкалова В. Н., Федорова Г. М., Самойлов В. В., Щукин С. Я., Елесеева Л. И.

МПК: H01B 1/02

Метки: получения, керамики, конденсаторной, электродная, паста, металлизации, необожженной, способ

Текст:

...керамическую добавку, стабилизирующую добавку и органическое связующее,включающее этилцедшюлозу, скипидар и олеиновую кислоту, вышеуказанный технический результат достигается тем, что токопроводящий компонент содержит порошок смеси или сплава серебра и палладия, керамическая добавка включает спек титаната стронция или титаната бария или их смесь, стабилизирующая добавка содержит один ингредиент или смесь штгредиентов из ряда оксид...

Токопроводящая паста для металлизации обожженной керамики, преимущественно пластин однослойных конденсаторов методом трафаретной печати

Загрузка...

Номер патента: 829

Опубликовано: 15.08.1995

Авторы: Самойлов В. В., Широков М. Ф., Семочкин В. И., Макарова Н. Г., Демчук И. Н., Головина К. И., Коломайнен В. В.

МПК: H01B 1/02

Метки: обожженной, преимущественно, пластин, токопроводящая, керамики, конденсаторов, методом, печати, трафаретной, металлизации, однослойных, паста

Текст:

...годных надет путмс оптимизации фонетически. печатных н тещ логически свойств пасты при одновременном сщехщ е. стошоотн п повншешп производительности работы. .Сущность изобретения еантпочается в том, что в заявленной токопрц вопящей пасте для металлизации обогащнной трешки. прешуществешо пда тив однослойных конденсаторов методом трафаретной печати, содержащей мс кодпсперсное серебро. стекпофрпттудтэтидщещщгхову н сосновое масло, воща...

Токопроводящая паста для металлизации необожженной висмутсодержащей керамики

Загрузка...

Номер патента: 645

Опубликовано: 30.06.1995

Авторы: Ежовский И. К., Александрович Т. Ф.

МПК: H01B 1/02

Метки: необожженной, висмутсодержащей, токопроводящая, керамики, металлизации, паста

Текст:

...необожженных заготовок многослойных конденсаторов и ограничивает достижение более высокого технического результата при формировании контактного узла многослойных конденсаторов.Предлагаемая токопроводящая паста для металлизации контактным методом необожженной висмутсодержащей керамики позволяет устранить вышеуказанные недостатки и обесПВЧИВЗВТ ПОВЫШЕНИЕ ПРОЧНОСТИ СЦЕПЛЕНИЯ наносимого покрытия с керамикой и качества контактного узла путем...

Электропроводящая паста для металлизации необожженной керамики

Загрузка...

Номер патента: 273

Опубликовано: 30.12.1994

Автор: Головина К. И.

МПК: H01B 1/02

Метки: керамики, необожженной, электропроводящая, паста, металлизации

Текст:

...и платиной. например 48 60 мас. порошка Ро или его сплава или смеси с Рт. смешивают с 40 52 мас. органичеСКОГОЗВЯЗУЮЩВГО. ВВОДЯТ ВРЕМЕННЫЙ рас творитепь (ацетон) в количестве 30 - 50 мас. к количеству загружаемых компонентов пасты и диспергируют в течение 48 - 72 ч до достижения размеров агрегатов не более 5 мкм. После этого из полученной суспензии удаляют (испаряют) временный растворительм обрабатывают суспензию на 3-х вапковой...

Способ изготовления металлизации интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Ерема В. В., Лабунов В. А., Сурганов В. Ф., Попов Ю. П., Михайлова Л. Н., Дударчик А. И., Захарчук А. С., Мозалев А. М.

МПК: H01L 21/28

Метки: изготовления, способ, микросхем, интегральных, металлизации

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...