Патенты с меткой «магниторезистивного»

Способ получения магниторезистивного материала на основе манганита лантана с температурой Кюри выше комнатной

Загрузка...

Номер патента: 10361

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: C01G 45/00, C01F 17/00, C04B 35/50...

Метки: лантана, комнатной, получения, манганита, основе, материала, магниторезистивного, способ, кюри, выше, температурой

Текст:

...формулой(или Са, , , у 2-3,5), в котором КМС может достигать 200(абсолютная величина) при комнатной температуре в поле 6 Т, если тонкую пленку нагреть в окислительной атмосфере, обычно потоке кислорода. Температура термообработки 300850 С, длительность - 10-12 минут 3. Пленка обычно создается на подложке или держателе с буферным слоем. Материалами подложки могут служить , 3 и 3. По своей сущности этот способ наиболее близок к...

Способ линеаризации градуировочной кривой магниторезистивного датчика

Загрузка...

Номер патента: 8129

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Милитц Ганс, Лукашевич Михаил Григорьевич, Скрипка Дмитрий Алексеевич

МПК: G01R 33/02, G01R 33/028

Метки: кривой, датчика, линеаризации, способ, магниторезистивного, градуировочной

Текст:

...датчика при упрощении способа линеаризации магниторезистивного датчика и устройства для его реализации. Решение поставленной задачи достигается тем, что магниторезистивный датчик охлаждают до температуры ниже 100 К и прикладывают к нему периодическое напряжение,величина которого меньше и больше критического напряжения, при котором выделяемая в магниторезистивном датчике электрическая мощность приводит к его нагреву и переводу из состояния с...