Патенты с меткой «кристалла»

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Подковщиков Николай Николаевич, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: полупроводникового, стороны, кристалла, формирования, обратной, металлизации, прибора, способ

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: обратной, металлизация, кристалла, прибора, стороны, полупроводникового

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: полупроводникового, способ, кристалла, кремниевого, прибора, присоединения, кристаллодержателю

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Установка для обработки кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 17358

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич, Качан Егор Олегович, Ямная Дарья Андреевна

МПК: B28D 5/00

Метки: кристалла, установка, обработки, алмаза

Текст:

...с помощью качающего рычага. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной через упругую прокладку. Предлагаемая конструкция установки для обработки кристаллов алмаза обеспечивает смещение центра масс противовеса выше оси качания стрелы при ее рабочем положении. Поэтому действующие на противовес инерционные силы, создаваемые вдоль горизонтали с помощью источника...

Установка для обработки кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 17134

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ямная Дарья Андреевна, Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович, Новиков Александр Анатольевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кристалла, обработки, установка, алмаза

Текст:

...вибрационных колебаний, задняя пара стоек связана со станиной через элемент переменной жесткости в виде двух плоских пружин, взаимодействующий с источником вибрационных колебаний, установленным на станине. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной. Применение упругого подвеса стрелы, установленной в задней паре стоек, позволяет изменить направление...

Способ формирования текстурированной ориентирующей поверхности для многодоменной ориентации жидкого кристалла

Загрузка...

Номер патента: 14753

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Станкевич Александр Ильич, Могильный Владимир Васильевич, Муравский Александр Анатольевич, Муравский Анатолий Александрович

МПК: G02F 1/1337

Метки: ориентирующей, кристалла, многодоменной, ориентации, текстурированной, поверхности, способ, формирования, жидкого

Текст:

...В частности, для формирования двух различных направлений ориентации жидкого кристалла достаточно только одной фотомаски, а дополнительная операция по совмещению фотомасок не требуется. Сущность изобретения состоит в создании на поверхности ориентирующей подложки полимерного рисунка (рисунков), элементы которого ориентируют ЖК в выбранном произвольном направлении с азимутальной энергией сцепления более 10-4 Дж/м 2. Рисунок создается...

Установка для распиливания кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 13967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович, Лётыч Вера Андреевна

МПК: B28D 5/00

Метки: кристалла, установка, распиливания, алмаза

Текст:

...условия качения с проскальзыванием. Кроме того, такая конструкция уменьшает возможность разбрызгивания абразив 2 13967 1 2011.02.28 ной суспензии в процессе распиливания, что также увеличивает вероятность попадания алмазных зерен из суспензии на торцевую поверхность режущего инструмента и способствует повышению производительности распиливания кристалла алмаза. Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена горизонтальная...

Способ определения ориентации оптической оси и показателей преломления для обыкновенного no и необыкновенного ne лучей одноосного кристалла

Загрузка...

Номер патента: 12912

Опубликовано: 28.02.2010

Автор: Меркулов Владимир Сергеевич

МПК: G01N 21/21

Метки: оси, оптической, способ, показателей, обыкновенного, преломления, ориентации, определения, необыкновенного, кристалла, лучей, одноосного

Текст:

...очень пологий минимум на фоне очень малого максимального значения интенсивности. Поэтому в современной эллипсометрии предпочтительно отыскивать минимум интенсивности путем вращения анализатора (или поляризатора) при фиксированном угле падения и ориентации кристалла. Задачей настоящего изобретения является повышение точности измерений показателей преломления ,полярного и азимутального углов ориентации оптической оси. Поставленная задача...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевого, кристалла, прибора, способ, кристаллодержателю, полупроводникового, присоединения

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Установка для распиливания кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 10925

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, распиливания, кристалла, установка

Текст:

...подачи абразивной суспензии на рабочую поверхность ультразвукового преобразователя, который закреплен на станине с возможностью контакта его рабочей поверхности с торцевой поверхностью режущего инструмента и внедрения абразивной суспензии в материал режущего инструмента. Такая конструкция позволяет повысить степень шаржирования торцевой поверхности режущего инструмента при его контакте с колеблющейся поверхностью ультразвукового...

Способ и устройство для выращивания кристалла методом плавающей зоны

Загрузка...

Номер патента: 10056

Опубликовано: 30.12.2007

Автор: Феонычев Александр Иванович

МПК: C30B 13/00, C30B 30/00

Метки: устройство, кристалла, выращивания, методом, плавающей, способ, зоны

Текст:

...ИФЖ. - 2004. - Т. 77. -2. - С. 83-92, - было показано, что стоячие поверхностные волны сильно влияют на структуру течения в жидкой зоне и тепломассоперенос при выращивании кристаллов методом плавающей зоны. Для создания искомого положительного эффекта частота прикладываемой вибрации выбирается таким образом, чтобы на свободной поверхности жидкой зоны укладывалось нужное число периодов стоячей волны. Число периодов инерционно-капиллярных...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: присоединения, кристаллодержателю, прибора, полупроводникового, кремниевого, кристалла, способ

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Портнов Лев Яковлевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/58, H01L 21/60

Метки: прибора, присоединения, кремниевого, кристаллодержателю, способ, полупроводникового, кристалла

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Способ изготовления трехмерного фотонного кристалла для видимой области спектра

Загрузка...

Номер патента: 7371

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Шелехина Виктория Михайловна, Лютич Андрей Андреевич, Прохоров Олег Александрович, Витязь Петр Александрович

МПК: G02B 5/26, C30B 28/04, B01D 21/26...

Метки: области, фотонного, кристалла, способ, видимой, спектра, изготовления, трехмерного

Текст:

...чем меньше размер частиц порошков, тем выше ускорение осаждения для получения ФК с оптимальными оптическими характеристиками. 2 7371 1 2005.09.30 Ускорение в центробежном поле на три порядка больше ускорения свободного падения (9,81 м/с 2). В связи с этим формирование ФК в заявляемом способе происходит за гораздо меньшее время чем в прототипе. Осаждение в центрифуге, как и при свободном осаждении порошков оксида кремния(концентрация в...

Ячейка базового матричного кристалла

Загрузка...

Номер патента: 934

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Львов Владимир Вилленович, Попов Виктор Иванович, Подлесный Андрей Владимирович, Гришаков Геннадий Иванович, Лукасевич Михаил Иванович, Михайлов Виктор Михайлович, Сомов Сергей Викторович, Фридберг Александра Никифоровна

МПК: H01L 27/118

Метки: матричного, базового, ячейка, кристалла

Текст:

...еле ментов оказывает непосредственное влияние на функционированиеТехническим результатом предлагаемого изобретения являете он повышение степени интеграции, помехозащищенности и снижение потребляемой мощности.Достигается это тем, что в ячейке базового матричного кристалла, содержащей набор компонентов, выполненных в полуъ проводниковой подложке, /7-слоев металлизации с размещенными шинами питания, входными и выходными контактами и...