Патенты с меткой «кремния»

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: плазмохимического, удаления, травления, после, фоторезиста, способ, поликристаллического, кремния

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: интегральных, микросхем, пластин, способ, изготовлении, пленкой, реставрации, поликристаллического, кремния

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ получения композита на основе нанооксидов титана и кремния

Загрузка...

Номер патента: 18320

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Жарский Иван Михайлович, Мурашкевич Анна Николаевна, Юхно Елена Казимировна, Алисиенок Ольга Александровна

МПК: B82Y 40/00, C04B 38/06, B01J 21/06...

Метки: кремния, основе, композита, нанооксидов, титана, получения, способ

Текст:

...1(0,25 - 1) прокалка промежуточного продукта при температурах 550-600 С, обеспечивающая полное удаление структурообразователя при сохранении развитой удельной поверхности продукта и частичную кристаллизацию титансодержащего компонента, который чаще всего является носителем активных каталитических центров и при использовании такого композита в качестве фотокатализатора должен быть кристаллическим. Сущность предлагаемого изобретения...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30, C23C 16/56...

Метки: способ, легированных, кремния, пленок, осаждения, фосфором

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: способ, изготовления, основе, быстродействующих, тиристоров, кремния

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Васильев Юрий Борисович, Челядинский Алексей Романович, Турцевич Аркадий Степанович, Плебанович Владимир Иванович, Оджаев Владимир Борисович, Садовский Павел Кириллович

МПК: H01L 21/322

Метки: формирования, слоя, кремния, пластине, геттерного, способ

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: поверхности, качества, способ, монокристаллического, пластины, кремния, контроля

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Устройство для получения геля диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: U 9408

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Беднюк Олег Николаевич, Овчаров Александр Михайлович, Гайшун Владимир Евгеньевич, Косенок Янина Александровна, Плющ Борис Васильевич

МПК: C03B 8/02

Метки: кремния, устройство, геля, диоксида, получения

Текст:

...основание выполнено из гидрофильного проницаемого материала, а прилегающие к нему стенки выполнены из гидрофобного непроницаемого и нерастворимого в воде материала. Недостатком известного устройства является то, что в данном устройстве процесс гелеобразования происходит самопроизвольно. Получение из золя геля и его сушка требует больших затрат времени. Кроме того, в процессе получения геля происходят значительные усадки от геля к ксерогелю...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: G05D 23/00, H01L 21/02, B08B 3/02...

Метки: пластин, очистке, способ, пленки, аэрозольной, кремния, травления, химической, полупроводниковых, диоксида

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/10, C25D 9/08...

Метки: aіvbvі, групп, способ, бинарных, подложках, или, полупроводниковых, формирования, aііbvі, пленок, кремния, монокристаллического, соединений

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 21/306

Метки: состав, загрязнений, кремния, полимерных, удаления, поверхности

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ разделения резкой кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений

Загрузка...

Номер патента: 16483

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Сердюков Анатолий Николаевич, Шолох Владимир Федорович

МПК: C03B 33/02, C03B 33/09, B28D 5/00...

Метки: действием, способ, термоупругих, напряжений, разделения, кремния, резкой, кристаллического

Текст:

...перемещении лазерного пучка и кремния и локальное охлаждение зоны нагрева хладагентом,перед выбором интенсивности нагрева определяют значение модуля Юнга , ГПа, в 2 16483 1 2012.10.30 направлении, перпендикулярном плоскости разделения, интенсивность нагрева выбирают пропорционально модулю Юнга , ГПа, в направлении, перпендикулярном плоскости разделения, причем соотношение скорости относительного перемещения лазерного пучка и кремния , м/с, и...

Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния

Загрузка...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: пластины, полупроводниковой, кремния, способ, изготовления

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, ориентации, способ, кремния, 001, пластин, полупроводниковых

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, пластин, полупроводниковых, кремния, 001, ориентации, способ

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, изготовления, полупроводниковых, пластин, 001, кремния, способ

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 14/34

Метки: кремния, способ, изготовления, полупроводниковых, пластин

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: полупроводниковых, кремния, изготовления, способ, пластин

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, кремния, пластин, изготовления, 001, ориентации, полупроводниковых

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Способ получения тетрафторида кремния и устройство для осуществления способа

Загрузка...

Номер патента: 15295

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Нагула Петр Константинович, Степаненко Николай Валерьевич, Степаненко Валерий Николаевич, Телущенко Елена Анатольевна, Матюта Александр Сергеевич, Максименко Николай Филиппович, Липай Владимир Анатольевич

МПК: C01B 33/107

Метки: осуществления, тетрафторида, кремния, получения, устройство, способ, способа

Текст:

...Этот процесс делает очевидными безвозвратные потери энергии на предыдущее разложение 26, уменьшение выхода 4 и загрязнение остатка , который также является востребованным коммерческим продуктом. Весь выделяемый газ 4 поступает в один баллон-конденсатор, что заранее обуславливает получение конечного продукта с загрязняющими включениями. Первые порции тетрафторида кремния, получаемые в процессе термического разложения кремнефторида натрия,...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, кремния, изготовления, ориентации, способ, полупроводниковых, пластин

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, полупроводниковых, способ, кремния, изготовления, пластин, 111

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, пластин, ориентации, изготовления, полупроводниковых, 111, кремния

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, полупроводниковых, пластин, 111, кремния, способ, ориентации

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Способ получения керамических изделий на основе нитрида кремния повышенной прочности

Загрузка...

Номер патента: 14222

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Беляев Андрей Васильевич, Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна, Урбанович Владимир Степанович

МПК: C04B 35/584

Метки: прочности, керамических, кремния, повышенной, нитрида, основе, способ, изделий, получения

Текст:

...мкм (удельная поверхность 6-9 м 2/г), с содержанием азота 36,5-39,5 мас. , -фазы 60-90 и примесей,мас.кислорода 0,3-1,0 свободного кремния 0,01-0,6 железа 0,1-0,2 углерода 0,01-0,4 кальция до 0,2. Полученные порошки формуют известными методами и подвергают термобарической или термической обработке. Из полученных порошков изготавливались образцы изделий из нитридокремниевого материала и исследовались механические характеристики. При содержании...

Раствор для химического никелирования порошкообразных оксида алюминия или карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 14012

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Сморыго Олег Львович, Микуцкий Виталий Анатольевич, Ильющенко Александр Фёдорович

МПК: C23C 18/31

Метки: кремния, химического, никелирования, оксида, или, карбида, алюминия, раствор, порошкообразных

Текст:

...никель хлористый (6-водный) 100-150 г/л натрия гипофосфит 150-250 г/л натрий лимоннокислый 30-50 г/л 3 20-40 мл/л кислота уксусная (1,058 г/см ) аммиак водный раствор (25 ) 200-330 мл/л вода остальное. Сущность изобретения состоит в следующем. Применение раствора химического никелирования с использованием в качестве основной соли хлорида никеля, заменой фторсодержащей соли и органического стабилизатора на комплексообразователи (кислоту...

Способ радиационно-термической обработки силовых диодов на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 13932

Опубликовано: 30.12.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: обработки, силовых, кремния, способ, основе, диодов, радиационно-термической

Текст:

...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...

Инсектицидная дисперсия, содержащая гидрофобный диоксид кремния

Загрузка...

Номер патента: 13255

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: ШЕФЛЕР, Йохен, ПЕРЛЕТ, Габриэль, ЛОРЦ, Вольфганг

МПК: A01N 59/00, A01N 25/04

Метки: кремния, гидрофобный, диоксид, дисперсия, содержащая, инсектицидная

Текст:

...затратами вследствие повышенной вязкости однородной водной фазы (с желирующим агентом в качестве добавки). С помощью операций деаэрирования до или во время диспергирования можно удалить, по меньшей мере, большую часть диспергированного воздуха. В принципе, является подходящей любая методика диспергирования, проведение которой возможно до деаэрирования диспергируемого порошка и которая во время диспергирования предотвращает...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: кремния, основе, тиристоров, быстродействующих, способ, изготовления

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Способ получения изделия из композиционного материала на основе карбида кремния и железа

Загрузка...

Номер патента: 12847

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Ковалевская Анна Викторовна, Григорьев Сергей Владимирович, Витязь Петр Александрович, Фомихина Ирина Викторовна, Жук Андрей Евгеньевич, Ковалевский Виктор Николаевич

МПК: C04B 35/65, C04B 35/626, C04B 35/565...

Метки: основе, композиционного, железа, изделия, карбида, кремния, получения, материала, способ

Текст:

...заготовку и подвергают ее реакционному спеканию в форме из материала с низким коэффициентом линейного термического расширения. Авторами установлено, что изготовление изделий из композиционных материалов,представляющих собой абразивные и железные порошки с покрытием кремнием и углеродом возможно за счет реакционного спекания в покрытии и уплотнение их в процессе температурного расширения частиц железного порошка при нагреве. В предлагаемом...

Способ получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 12844

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Ковалевский Виктор Николаевич, Витязь Пётр Александрович, Сачава Дмитрий Григорьевич, Фомихина Ирина Викторовна, Ковалевская Анна Викторовна, Григорьев Сергей Владимирович

МПК: C04B 35/626, C04B 35/565, C04B 35/65...

Метки: получения, кремния, материала, структурой, карбида, каркасной, композиционного, способ

Текст:

...решается так, что в способе получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния, при котором поверхность частиц порошков железа с частицами разного размера активируют в плазме тлеющего разряда, путем магнетронного распыления наносят на них тонкопленочное покрытие из смеси кремния и углерода, на тонкопленочное покрытие наносят слой алюминия толщиной 8-10 нм готовят шихту смешиванием полученных порошков, формуют и...

Композиционный ферроабразивный порошок для полирования высокотвердых кремния или стекла

Загрузка...

Номер патента: 12528

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна

МПК: C09G 1/00

Метки: композиционный, порошок, или, кремния, высокотвердых, ферроабразивный, стекла, полирования

Текст:

...и микропористость поверхности режущих зерен. При этом снижается температура в зоне резания, коэффициент трения с обрабатываемой поверхностью, что приводит к повышению работоспособности материала. Содержание гидроксида алюминия ниже 30 объемных процентов понижает прочность композиции, снижает интенсивность съема обрабатываемого материала, снижает ферромагнитные свойства, а превышение количества гидроксида алюминия 40 об.приводит к расслоению...

Способ получения диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 12117

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Злотников Александр Игоревич, Чен Марианна Игоревна, Злотников Игорь Иванович, Мельников Игорь Георгиевич

МПК: C01B 33/00

Метки: способ, получения, диоксида, кремния

Текст:

...кремния и их агломераты. При этом если при обычной тепловой обработке температурное поле движется от внешних краев материала к центру, то при микроволновом нагреве распределение тепловой энергии в материале оказывается противоположным - максимум температуры находится в середине тела. Это способствует разрыхлению диоксида кремния, уменьшению размера его частиц и увеличению удельной поверхности. Замораживать путем охлаждения влажного продукта...

Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 16/455, B05D 5/12, H01L 21/02...

Метки: кремния, поликристаллического, пленки, осаждения, полуизолирующего, способ

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02

Метки: состав, поликристаллического, травления, кремния, пленок

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Способ получения композита на основе оксидов титана и кремния

Загрузка...

Номер патента: 11712

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Лавицкая Анна Сергеевна, Мурашкевич Анна Николаевна

МПК: B01J 21/00

Метки: титана, кремния, основе, оксидов, способ, получения, композита

Текст:

...кремнийсодержащего компонента раствора натриевого или калиевого жидкого стекла (Ыа 2 О-п 51 О 2 или К 2 О-п 51 О 2), имеющего модуль п 1,6 3,0, или метасиликата натрия Ма 251 О 3-9 Н 2 Оотмывка продукта слабым раствором уксусной кислоты, имеющим температуру 4050 С и рН 3.Использование в качестве кремнийсодержащего компонента растворов щелочных силикатов позволяет уменьшить количество применяемого осадителя, поскольку эту функцию...

Способ получения керамического материала из нитрида кремния

Загрузка...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 30.04.2009

Автор: Урбанович Владимир Степанович

МПК: B22F 3/14, C04B 35/584

Метки: кремния, способ, материала, получения, керамического, нитрида

Текст:

...контейнера вместе с нагревателем. Контейнер помещают в устройство высокого давления и подвергают сжатию до необходимого давления 1,5-2,9 ГПа. Затем исходную заготовку нагревают со скоростью 350-4500 С/мин до температуры спекания 1750-2200 С и выдерживают при ней в течение времени, необходимого для спекания материала. По окончании процесса спекания отключают нагрев, охлаждают образец, снижают давление до атмосферного со скоростью 1-25 ГПа/мин....

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремния, полупроводниковых, стойкости, приборов, способ, радиационной, основе, отбраковки

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Способ раскисления низкоуглеродистой стали с низким содержанием кремния

Загрузка...

Номер патента: 10664

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гуненков Валентин Юрьевич, Пивцаев Виталий Васильевич, Оленченко Александр Васильевич, Терлецкий Сергей Валерьевич, Боровик Валерий Васильевич

МПК: C21C 7/06

Метки: способ, низким, стали, кремния, раскисления, содержанием, низкоуглеродистой

Текст:

...53 А 2 О 3, не менее чем за 5 минут до передачи плавки на машину непрерывного литья заготовок вводят 0,5-1,5 кг/т силикокальциевой проволоки, а продувку стали инертным газом начинают с момента выпуска стали в ковш, при этом расход инертного газа увеличивают по мере наполнения ковша с 30 до 150 л/мин. Выполнение порядка присадки материалов в ковше в процессе выпуска и внепечной обработки стали следующее. До наполнения 10 (10 тонн) ковша...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния

Загрузка...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: кремния, изготавливаемых, неосновных, быстродействующих, полупроводниковых, приборах, базе, способ, мощных, ядернолегированного, регулирования, времени, жизни, высоковольтных, носителей, заряда

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...