Патенты с меткой «кремния»

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Цивако Алексей Александрович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/02

Метки: травления, поликристаллического, кремния, фоторезиста, удаления, после, плазмохимического, способ

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: интегральных, пластин, реставрации, пленкой, изготовлении, поликристаллического, кремния, способ, микросхем

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ получения композита на основе нанооксидов титана и кремния

Загрузка...

Номер патента: 18320

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Мурашкевич Анна Николаевна, Юхно Елена Казимировна, Алисиенок Ольга Александровна, Жарский Иван Михайлович

МПК: C04B 38/06, B82Y 40/00, B01J 21/06...

Метки: нанооксидов, композита, способ, титана, основе, кремния, получения

Текст:

...1(0,25 - 1) прокалка промежуточного продукта при температурах 550-600 С, обеспечивающая полное удаление структурообразователя при сохранении развитой удельной поверхности продукта и частичную кристаллизацию титансодержащего компонента, который чаще всего является носителем активных каталитических центров и при использовании такого композита в качестве фотокатализатора должен быть кристаллическим. Сущность предлагаемого изобретения...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Трусов Виктор Леонидович

МПК: C23C 16/56, C23C 16/30, H01L 21/205...

Метки: способ, фосфором, пленок, легированных, кремния, осаждения

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: основе, кремния, изготовления, быстродействующих, способ, тиристоров

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Оджаев Владимир Борисович, Плебанович Владимир Иванович, Садовский Павел Кириллович, Турцевич Аркадий Степанович, Васильев Юрий Борисович, Челядинский Алексей Романович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремния, геттерного, формирования, способ, пластине, слоя

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: поверхности, кремния, пластины, качества, монокристаллического, способ, контроля

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Устройство для получения геля диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: U 9408

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Беднюк Олег Николаевич, Косенок Янина Александровна, Овчаров Александр Михайлович, Плющ Борис Васильевич, Гайшун Владимир Евгеньевич

МПК: C03B 8/02

Метки: устройство, кремния, диоксида, получения, геля

Текст:

...основание выполнено из гидрофильного проницаемого материала, а прилегающие к нему стенки выполнены из гидрофобного непроницаемого и нерастворимого в воде материала. Недостатком известного устройства является то, что в данном устройстве процесс гелеобразования происходит самопроизвольно. Получение из золя геля и его сушка требует больших затрат времени. Кроме того, в процессе получения геля происходят значительные усадки от геля к ксерогелю...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, G05D 23/00, B08B 3/02...

Метки: пластин, очистке, диоксида, кремния, травления, химической, способ, аэрозольной, пленки, полупроводниковых

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович

МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C25D 9/08...

Метки: aііbvі, подложках, групп, формирования, монокристаллического, соединений, бинарных, полупроводниковых, или, aіvbvі, пленок, кремния, способ

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Состав для удаления полимерных загрязнений с поверхности кремния

Загрузка...

Номер патента: 16473

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/306

Метки: удаления, состав, полимерных, загрязнений, кремния, поверхности

Текст:

...сильным основанием, бурно реагирует с кислотами. Температура кипения (25 -ный раствор) 38 С. Температура плавления (25 -ный раствор) 58 С. Относительная плотность (вода 1) 0,9 (25 -ный раствор). Растворимость в воде смешивается в любых соотношениях. Давление паров при 20 С (25 -ный раствор)48 кПа. Относительная плотность пара (воздух 1) 0,6-1,2. Выпускается промышленностью на соответствие ГОСТ 24147-80 в виде 25 -ного раствора (квалификация...

Способ разделения резкой кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений

Загрузка...

Номер патента: 16483

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Сердюков Анатолий Николаевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шолох Владимир Федорович, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C03B 33/09, C03B 33/02, B28D 5/00...

Метки: термоупругих, кристаллического, напряжений, действием, резкой, кремния, способ, разделения

Текст:

...перемещении лазерного пучка и кремния и локальное охлаждение зоны нагрева хладагентом,перед выбором интенсивности нагрева определяют значение модуля Юнга , ГПа, в 2 16483 1 2012.10.30 направлении, перпендикулярном плоскости разделения, интенсивность нагрева выбирают пропорционально модулю Юнга , ГПа, в направлении, перпендикулярном плоскости разделения, причем соотношение скорости относительного перемещения лазерного пучка и кремния , м/с, и...

Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния

Загрузка...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковой, кремния, способ, пластины, изготовления

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, кремния, 001, полупроводниковых, способ, изготовления, пластин

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, 001, пластин, ориентации, изготовления, кремния, способ

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, пластин, способ, ориентации, полупроводниковых, кремния, 001

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 14/34

Метки: полупроводниковых, изготовления, способ, пластин, кремния

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: способ, полупроводниковых, изготовления, пластин, кремния

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, полупроводниковых, способ, ориентации, 001, кремния, изготовления

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Способ получения тетрафторида кремния и устройство для осуществления способа

Загрузка...

Номер патента: 15295

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Степаненко Николай Валерьевич, Матюта Александр Сергеевич, Нагула Петр Константинович, Липай Владимир Анатольевич, Телущенко Елена Анатольевна, Степаненко Валерий Николаевич, Максименко Николай Филиппович

МПК: C01B 33/107

Метки: осуществления, получения, тетрафторида, устройство, способа, способ, кремния

Текст:

...Этот процесс делает очевидными безвозвратные потери энергии на предыдущее разложение 26, уменьшение выхода 4 и загрязнение остатка , который также является востребованным коммерческим продуктом. Весь выделяемый газ 4 поступает в один баллон-конденсатор, что заранее обуславливает получение конечного продукта с загрязняющими включениями. Первые порции тетрафторида кремния, получаемые в процессе термического разложения кремнефторида натрия,...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, пластин, изготовления, полупроводниковых, ориентации, 111, способ

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, изготовления, 111, способ, кремния, пластин, ориентации

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, ориентации, пластин, изготовления, 111, способ, кремния

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15190

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, полупроводниковых, изготовления, пластин, способ, ориентации, кремния

Текст:

...находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно, что образование 5 15190 1 2011.12.30 второго тетраэдра и октаэдра...

Способ получения керамических изделий на основе нитрида кремния повышенной прочности

Загрузка...

Номер патента: 14222

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Урбанович Владимир Степанович, Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна, Беляев Андрей Васильевич

МПК: C04B 35/584

Метки: прочности, повышенной, изделий, кремния, нитрида, керамических, основе, получения, способ

Текст:

...мкм (удельная поверхность 6-9 м 2/г), с содержанием азота 36,5-39,5 мас. , -фазы 60-90 и примесей,мас.кислорода 0,3-1,0 свободного кремния 0,01-0,6 железа 0,1-0,2 углерода 0,01-0,4 кальция до 0,2. Полученные порошки формуют известными методами и подвергают термобарической или термической обработке. Из полученных порошков изготавливались образцы изделий из нитридокремниевого материала и исследовались механические характеристики. При содержании...

Раствор для химического никелирования порошкообразных оксида алюминия или карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 14012

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Микуцкий Виталий Анатольевич, Сморыго Олег Львович, Ильющенко Александр Фёдорович

МПК: C23C 18/31

Метки: никелирования, карбида, химического, раствор, алюминия, или, оксида, порошкообразных, кремния

Текст:

...никель хлористый (6-водный) 100-150 г/л натрия гипофосфит 150-250 г/л натрий лимоннокислый 30-50 г/л 3 20-40 мл/л кислота уксусная (1,058 г/см ) аммиак водный раствор (25 ) 200-330 мл/л вода остальное. Сущность изобретения состоит в следующем. Применение раствора химического никелирования с использованием в качестве основной соли хлорида никеля, заменой фторсодержащей соли и органического стабилизатора на комплексообразователи (кислоту...

Способ радиационно-термической обработки силовых диодов на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 13932

Опубликовано: 30.12.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: основе, обработки, диодов, кремния, способ, силовых, радиационно-термической

Текст:

...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...

Инсектицидная дисперсия, содержащая гидрофобный диоксид кремния

Загрузка...

Номер патента: 13255

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: ЛОРЦ, Вольфганг, ПЕРЛЕТ, Габриэль, ШЕФЛЕР, Йохен

МПК: A01N 25/04, A01N 59/00

Метки: гидрофобный, инсектицидная, диоксид, дисперсия, кремния, содержащая

Текст:

...затратами вследствие повышенной вязкости однородной водной фазы (с желирующим агентом в качестве добавки). С помощью операций деаэрирования до или во время диспергирования можно удалить, по меньшей мере, большую часть диспергированного воздуха. В принципе, является подходящей любая методика диспергирования, проведение которой возможно до деаэрирования диспергируемого порошка и которая во время диспергирования предотвращает...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, основе, кремния, тиристоров, быстродействующих, способ

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Способ получения изделия из композиционного материала на основе карбида кремния и железа

Загрузка...

Номер патента: 12847

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Ковалевская Анна Викторовна, Григорьев Сергей Владимирович, Ковалевский Виктор Николаевич, Витязь Петр Александрович, Фомихина Ирина Викторовна, Жук Андрей Евгеньевич

МПК: C04B 35/626, C04B 35/565, C04B 35/65...

Метки: материала, кремния, основе, получения, композиционного, железа, изделия, способ, карбида

Текст:

...заготовку и подвергают ее реакционному спеканию в форме из материала с низким коэффициентом линейного термического расширения. Авторами установлено, что изготовление изделий из композиционных материалов,представляющих собой абразивные и железные порошки с покрытием кремнием и углеродом возможно за счет реакционного спекания в покрытии и уплотнение их в процессе температурного расширения частиц железного порошка при нагреве. В предлагаемом...

Способ получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния

Загрузка...

Номер патента: 12844

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Сачава Дмитрий Григорьевич, Витязь Пётр Александрович, Ковалевский Виктор Николаевич, Григорьев Сергей Владимирович, Фомихина Ирина Викторовна, Ковалевская Анна Викторовна

МПК: C04B 35/626, C04B 35/565, C04B 35/65...

Метки: карбида, материала, каркасной, способ, структурой, композиционного, получения, кремния

Текст:

...решается так, что в способе получения композиционного материала с каркасной структурой карбида кремния, при котором поверхность частиц порошков железа с частицами разного размера активируют в плазме тлеющего разряда, путем магнетронного распыления наносят на них тонкопленочное покрытие из смеси кремния и углерода, на тонкопленочное покрытие наносят слой алюминия толщиной 8-10 нм готовят шихту смешиванием полученных порошков, формуют и...

Композиционный ферроабразивный порошок для полирования высокотвердых кремния или стекла

Загрузка...

Номер патента: 12528

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Судник Лариса Владимировна, Жук Елена Владимировна

МПК: C09G 1/00

Метки: стекла, композиционный, полирования, кремния, или, порошок, ферроабразивный, высокотвердых

Текст:

...и микропористость поверхности режущих зерен. При этом снижается температура в зоне резания, коэффициент трения с обрабатываемой поверхностью, что приводит к повышению работоспособности материала. Содержание гидроксида алюминия ниже 30 объемных процентов понижает прочность композиции, снижает интенсивность съема обрабатываемого материала, снижает ферромагнитные свойства, а превышение количества гидроксида алюминия 40 об.приводит к расслоению...

Способ получения диоксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 12117

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Злотников Игорь Иванович, Чен Марианна Игоревна, Мельников Игорь Георгиевич, Злотников Александр Игоревич

МПК: C01B 33/00

Метки: диоксида, способ, получения, кремния

Текст:

...кремния и их агломераты. При этом если при обычной тепловой обработке температурное поле движется от внешних краев материала к центру, то при микроволновом нагреве распределение тепловой энергии в материале оказывается противоположным - максимум температуры находится в середине тела. Это способствует разрыхлению диоксида кремния, уменьшению размера его частиц и увеличению удельной поверхности. Замораживать путем охлаждения влажного продукта...

Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: B05D 5/12, C23C 16/455, H01L 21/02...

Метки: осаждения, поликристаллического, способ, пленки, кремния, полуизолирующего

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: поликристаллического, травления, пленок, состав, кремния

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Способ получения композита на основе оксидов титана и кремния

Загрузка...

Номер патента: 11712

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Лавицкая Анна Сергеевна, Мурашкевич Анна Николаевна

МПК: B01J 21/00

Метки: получения, способ, кремния, композита, основе, титана, оксидов

Текст:

...кремнийсодержащего компонента раствора натриевого или калиевого жидкого стекла (Ыа 2 О-п 51 О 2 или К 2 О-п 51 О 2), имеющего модуль п 1,6 3,0, или метасиликата натрия Ма 251 О 3-9 Н 2 Оотмывка продукта слабым раствором уксусной кислоты, имеющим температуру 4050 С и рН 3.Использование в качестве кремнийсодержащего компонента растворов щелочных силикатов позволяет уменьшить количество применяемого осадителя, поскольку эту функцию...

Способ получения керамического материала из нитрида кремния

Загрузка...

Номер патента: 11890

Опубликовано: 30.04.2009

Автор: Урбанович Владимир Степанович

МПК: B22F 3/14, C04B 35/584

Метки: керамического, материала, кремния, способ, получения, нитрида

Текст:

...контейнера вместе с нагревателем. Контейнер помещают в устройство высокого давления и подвергают сжатию до необходимого давления 1,5-2,9 ГПа. Затем исходную заготовку нагревают со скоростью 350-4500 С/мин до температуры спекания 1750-2200 С и выдерживают при ней в течение времени, необходимого для спекания материала. По окончании процесса спекания отключают нагрев, охлаждают образец, снижают давление до атмосферного со скоростью 1-25 ГПа/мин....

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремния, полупроводниковых, отбраковки, способ, стойкости, приборов, радиационной, основе

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Способ раскисления низкоуглеродистой стали с низким содержанием кремния

Загрузка...

Номер патента: 10664

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гуненков Валентин Юрьевич, Пивцаев Виталий Васильевич, Оленченко Александр Васильевич, Боровик Валерий Васильевич, Терлецкий Сергей Валерьевич

МПК: C21C 7/06

Метки: кремния, способ, раскисления, стали, низкоуглеродистой, содержанием, низким

Текст:

...53 А 2 О 3, не менее чем за 5 минут до передачи плавки на машину непрерывного литья заготовок вводят 0,5-1,5 кг/т силикокальциевой проволоки, а продувку стали инертным газом начинают с момента выпуска стали в ковш, при этом расход инертного газа увеличивают по мере наполнения ковша с 30 до 150 л/мин. Выполнение порядка присадки материалов в ковше в процессе выпуска и внепечной обработки стали следующее. До наполнения 10 (10 тонн) ковша...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния

Загрузка...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: жизни, способ, времени, полупроводниковых, высоковольтных, заряда, кремния, неосновных, регулирования, изготавливаемых, приборах, мощных, носителей, базе, быстродействующих, ядернолегированного

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...