Патенты с меткой «кремниевые»

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, кремниевые, силовых, диффузии, полупроводниковых, пластины, акцепторных, способ, приборов, примесей

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кресло Сергей Михайлович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: акцепторных, изготовления, диффузии, пластины, примесей, приборов, силовых, полупроводниковых, способ, кремниевые

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...