Патенты с меткой «кремниевой»

Способ определения времени существования зоны расплава на поверхности полупроводниковой кремниевой мишени

Загрузка...

Номер патента: 18209

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Костюкевич Евгений Алексеевич, Асташинский Валентин Миронович, Кузмицкий Антон Михайлович

МПК: G01J 5/00

Метки: расплава, мишени, существования, кремниевой, времени, поверхности, полупроводниковой, зоны, способ, определения

Текст:

...потоками. 18209 1 2014.06.30 Поставленная задача решается тем, что в способе определения времени существования зоны расплава на поверхности полупроводниковой кремниевой мишени, при котором воздействуют на полупроводниковую мишень высокоэнергетическим плазменным потоком из магнитоплазменного компрессора с образованием над поверхностью мишени интенсивно излучающего ударно-сжатого слоя плазмы, регистрируют долю прошедшего через мишень...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Малый Игорь Васильевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ефименко Сергей Афанасьевич, Солодуха Виталий Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: кремниевой, изготовления, интегральной, микросхемы, способ

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ фотоселективного электрохимического осаждения меди на поверхность кремниевой пластины p-типа проводимости

Загрузка...

Номер патента: 17444

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Стрельцов Евгений Анатольевич, Иванова Юлия Александровна, Кулак Анатолий Иосифович, Иванов Дмитрий Константинович

МПК: H01L 21/18, C25D 3/38, C25D 7/12...

Метки: меди, способ, осаждения, p-типа, поверхность, фотоселективного, пластины, электрохимического, проводимости, кремниевой

Текст:

...поддержания потенциала кремниевого электрода и для устойчивого поддержанияэлектролита, а увеличение содержания 33 более 0,7 моль/л ограничено растворимостью данного соединения в воде. Влияние концентрации компонентов и потенциалов на селективность процесса осаждения меди сопоставлено в таблице. Зависимость величины фототока, темнового тока осаждения меди на -кремний и степени селективности(отношение массы меди, осаждающейся под...

Способ контроля остаточных напряжений в кремниевой структуре покрытие SiO2–основа Si

Загрузка...

Номер патента: 17232

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ходарина Людмила Петровна, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/66, G01L 1/25

Метки: кремниевой, контроля, структуре, покрытие sio2–основа si, остаточных, напряжений, способ

Текст:

...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Чапланов Аркадий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Маркевич Мария Ивановна, Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Стельмах Вячеслав Фомич

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: способ, дисилицида, кремниевой, подложке, пленки, формирования, титана

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Устройство для формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: U 8344

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Маркевич Мария Ивановна, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович, Адашкевич Сергей Владимирович, Колос Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/44

Метки: пленки, формирования, титана, дисилицида, подложке, устройство, кремниевой

Текст:

...свойств пленки титана 2 совмещен с блоком перемещения кремниевой подложки 18. Устройство формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке(фиг. 1) работает следующим образом. Кремниевая подложка через элемент загрузки 13 поступает в блок нанесения пленки титана 1, где осуществляется, как в известном устройстве 3, операция нанесения на поверхность кремниевой подложки пленки титана, например, способом магнетронного напыления,...

Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, кремниевой, полупроводниковой, пластины, покрытие, ориентации, функциональное

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: функциональное, 111, ориентации, кремниевой, полупроводниковой, пластины, покрытие

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: способ, эпитаксиальной, кремниевой, ориентации, 111, структуры, изготовления

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: структуры, кремниевой, ориентации, эпитаксиальной, изготовления, способ, 111

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: способ, структуры, кремниевой, 001, ориентации, эпитаксиальной, изготовления

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: пластины, изготовления, способ, 111, полупроводниковой, кремниевой, ориентации

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, кремниевой, пластины, способ, полупроводниковой, 001, изготовления

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Способ травления кремниевой подложки

Загрузка...

Номер патента: 13528

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Звонова Ольга Сергеевна, Табулина Людмила Васильевна, Русальская Тамара Георгиевна, Баранов Игорь Ливерьевич

МПК: H01L 21/02, C25F 3/00

Метки: подложки, кремниевой, способ, травления

Текст:

...0,5-1,14, 1,01,75 и 0,07-0,14 СВ-1017, и подключают ее к электрической цепи с плотностью протекающего через подложку анодного тока в интервале 50-75 мА/см 2. При анодной обработке в электролитических растворах, содержащих плавиковую кислоту, на поверхности кремниевой подложки протекают следующие реакции электрохимическая реакция образования бифторида кремния(1)22 е 22 химическое восстановление кремния из бифторида кремния(3) 4226...

Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 29/00, H01L 49/02

Метки: микросхемы, интегральный, тонкопленочный, кремниевой, резистор, интегральной

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: поверхности, пластины, качества, способ, полупроводниковой, химической, ph больше 7, контроля, очистки, растворе, кремниевой

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Способ контроля механических напряжений в кремниевой структуре пленка SiO2–подложка Si

Загрузка...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: контроля, механических, пленка sio2–подложка si, способ, напряжений, кремниевой, структуре

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины

Загрузка...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: формирования, металлизации, пластины, стороны, обратной, способ, кремниевой

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Способ измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины

Загрузка...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Ухов Виктор Анатольевич, Чигирь Григорий Григорьевич, Пеньков Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхности, глубины, нарушенного, пластины, кремниевой, полупроводниковой, способ, слоя, измерения

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...