Патенты с меткой «контакта»

Способ определения размеров площадки контакта двух упругих тел, нагруженных внешней силой, для расчета на контактную прочность элементов высших кинематических пар

Загрузка...

Номер патента: 16104

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Бородачев Николай Максимович, Тариков Георгий Петрович, Комраков Владимир Викторович

МПК: G06G 7/48

Метки: двух, размеров, силой, высших, контакта, нагруженных, прочность, контактную, элементов, пар, внешней, площадки, определения, упругих, способ, тел, расчета, кинематических

Текст:

...электрического поля. На токопроводящий элемент - аналог площадки контакта - необходимо подать переменный электрический потенциал (, ) в соответствии с правой частью уравнения (1). 3 16104 1 2012.08.30 Так как задать переменный электрический потенциал на сплошной токопроводящей пластине невозможно, то токопроводящий элемент выполняем в виде набора изолированных друг от друга токопроводящих пластин, являющихся аналогами...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/02, H01L 33/00...

Метки: способ, омического, эпитаксиальному, изготовления, p-gan, галлия, контакта, нитрида, слою, прозрачного

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Способ определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов

Загрузка...

Номер патента: 15531

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Александров Валерий Михайлович, Маркова Людмила Владимировна, Шкурдюк Петр Алексеевич

МПК: G01N 1/32, G01N 15/08

Метки: компактного, площади, пористого, контакта, фактической, определения, материалов, способ

Текст:

...способа. Поставленная задача достигается тем, что в заявляемом способе определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов, в котором спекают подложку из компактного материала с пластиной из пористого материала, изготавливают шлиф, после чего его поверхность со стороны компактной подложки обрабатывают травителем до момента выявления на ней границ, очерчивающих площади контакта частиц пористого материала с компактным,...

Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию

Загрузка...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Колос Светлана Валентиновна, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: материал, кремнию, контакта, омического, тонкопленочного

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: омического, контакта, способ, эпитаксиальному, слою, p-gan, изготовления, прозрачного

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN

Загрузка...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Павловский Вячеслав Николаевич, Яблонский Геннадий Петрович, Новицкий Николай Николаевич, Шуленков Алексей Серафимович, Данильчик Александр Викторович, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: контакта, омического, p-gan, прозрачного, изготовления, эпитаксиальному, слою, способ

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Способ определения зоны контакта

Загрузка...

Номер патента: 9026

Опубликовано: 30.04.2007

Автор: Шилько Сергей Викторович

МПК: G01N 3/56, G01B 5/26

Метки: способ, определения, зоны, контакта

Текст:

...материал которой состоит из двух фаз 4 и 5, обеспечивая выполнение условий (1)-(3), и проводят повторное нагружение сопряжения. В соответствии с условиями (1) пластическое течение реализуется только в материале прокладки и отсутствует в телах сопряжения, что исключает необратимые изменения геометрии узла трения. В исходном пластически недеформированном состоянии контактная жесткость прокладки меньше контактной жесткости узла трения в...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Шинеллер Бернд, Яблонский Геннадий Петрович, Луценко Евгений Викторович, Хойкен Михаель

МПК: H01L 21/283, H01L 21/28, H01L 33/00...

Метки: изготовления, прозрачного, способ, контакта, эпитаксиальному, омического, p-gan, слою

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Контактно-сепарационное устройство для отделения жидкой фазы от газовой после их контакта

Загрузка...

Номер патента: 8419

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Марков Владимир Алексеевич, Хмылко Людмила Ивановна, Марков Александр Владимирович, Перминов Евгений Викторович

МПК: B01D 45/00, B01D 3/00

Метки: контакта, после, устройство, фазы, отделения, газовой, контактно-сепарационное, жидкой

Текст:

...всей боковой поверхности зоны сепарации. Однако, как показали исследования и реализация этого конструктивного решения с целью повышения эффективности разделения и устранения зарастания отверстий не привела к положительному результату. Задача изобретения - повышение эффективности отделения жидкой фазы, содержащей различные примеси твердой фазы от газовой (паровой) фазы, а также капель кристаллизующихся растворов и устранение нежелательного...

Способ определения области контакта

Загрузка...

Номер патента: 8053

Опубликовано: 30.04.2006

Автор: Шилько Сергей Викторович

МПК: G01B 5/26, G01N 3/56

Метки: определения, способ, области, контакта

Текст:

...нагрузки формируется область контакта 3. При сжатии тел с различными механическими свойствами и кривизной поверхности, что характерно для подавляющего большинства сопряжений, имеет место локальное скольжение (проскальзывание) в краевых зонах контакта, как показано на фиг. 1. Проскальзывание происходит непрерывно в процессе сжатия и вызывает изнашивание контактной поверхности образца и контробразца, как показано на фиг. 2. Максимальная...

Способ определения области контакта

Загрузка...

Номер патента: 8052

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Шилько Сергей Викторович, Хиженок Вячеслав Федорович, Семенова Татьяна Владимировна

МПК: G01N 3/56, G01B 5/26

Метки: определения, контакта, способ, области

Текст:

...указанных задач достигается также тем, что прокладку выполняют в виде волнистой алюминиевой фольги. На фиг. 1 показано размещение прокладки в контакте на фиг. 2 показано локальное уплотнение прокладки при контактном деформировании на фиг. 3 приведены диаграммы вдавливания цилиндрического индентора в контртело из резины (модуль упругости Е 34 МПа) без прокладки (штриховая линия) и с прокладкой из гофрированной алюминиевой фольги (сплошная...