Патенты с меткой «изготовлении»

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/311

Метки: кремния, интегральных, изготовлении, микросхем, реставрации, пластин, способ, пленкой, поликристаллического

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/12

Метки: полимера, способ, изготовлении, интегральных, удаления, микросхем, контактных, окнах

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: композиция, получения, изделий, планарных, бора, изготовлении, твердых, микроэлектроники, источников

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: удаления, состав, системы, металлизации, полупроводниковых, изготовлении, фоторезиста, приборов

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: приборов, структур, способ, изготовлении, радиационной, приборных, быстродействующих, полупроводниковых, обработки

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ подготовки вторичного волокна при изготовлении целлюлозосодержащего волокнистого материала

Загрузка...

Номер патента: 15335

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Черная Наталья Викторовна, Драпеза Андрей Анатольевич, Костюкевич Андрей Валентинович, Жолнерович Наталья Викторовна, Чубис Павел Анатольевич

МПК: D21C 5/02

Метки: способ, подготовки, волокна, изготовлении, целлюлозосодержащего, вторичного, волокнистого, материала

Текст:

...режим подготовки вторичного волокна (макулатурной массы) направлен на восстановление бумагообразующих свойств волокон и обесцвечивание макулатурных волокон за счет удаления с их поверхности частиц типографской краски и пигментов. Изобретение иллюстрируется следующими примерами его осуществления. Пример 1. Для лабораторных исследований используют вторичное волокно - макулатуру марки МС-7 Б (ГОСТ 10700-97). Подготовку макулатуры...

Устройство для получения негативной модели при изготовлении индивидуальных ортезов стоп

Загрузка...

Номер патента: U 7374

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Шашура Люцина Иосифовна, Свириденок Анатолий Иванович, Лашковский Владимир Владимирович

МПК: A61F 5/14

Метки: ортезов, негативной, стоп, индивидуальных, модели, изготовлении, получения, устройство

Текст:

...из сыпучего формовочного материала, заключенного в эластичную воздухонепроницаемую оболочку при вакуумном упрочении с индивидуальным учетом влияния формы внутренней опорной поверхности конкретной обуви на 2 73742011.06.30 анатомическую коррекцию свода стопы. Недостатком данного технического решения является то, что применение вакуума технически достаточно сложно и недостаточно точно для получения анатомических профилей стоп. Технической...

Способ модифицирования карбонатного наполнителя при изготовлении бумаги для печати

Загрузка...

Номер патента: 13858

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Соловьева Тамара Владимировна, Пенкин Антон Анатольевич, Темрук Владимир Игнатьевич

МПК: D21H 21/00, D21H 17/00

Метки: наполнителя, карбонатного, изготовлении, печати, способ, модифицирования, бумаги

Текст:

...с источником 5, в пределах 8-18 мкм. После проведения процесса модифицирования наполнителя устанавливают ту частоту вращения перемешивающего устройства, которая исключает оседание частиц суспензии модифицированного наполнителя, и осуществляют ее введение в бумажную массу самотеком в количестве, необходимом для достижения требуемого содержания наполнителя в бумаге. Емкости для модифицирования наполнителя 4 работают в поочередном режиме,то...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Родин Георгий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/70

Метки: схем, способ, интегральных, изготовлении, планаризации, микрорельефа

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Мойсейчук Константин Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Бересневич Людмила Брониславовна, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, твердых, композиция, получения, полупроводниковых, приборов, схем, источников, изготовлении, бора

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: диффузии, интегральных, бора, микросхем, твердых, полупроводниковых, способ, источников, изготовлении, приборов

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: времени, неосновных, жизни, полупроводниковых, способ, приборов, регулирования, изготовлении, заряда, носителей, быстродействующих

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: изготовлении, металло-кремнийорганических, микросхем, состав, кремниевых, полимерных, удаления, остатков, интегральных

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Пленкообразующая композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/225

Метки: полупроводниковых, приборов, композиция, пленкообразующая, источников, твердых, изготовлении, получения, бора

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Металлическая проволока с обработанной поверхностью, используемая при изготовлении усиливающих конструкций изделий из эластомерных материалов, способ плакирования поверхности стального сердечника, содержащегося в проволоке (варианты), усиливающая констру

Загрузка...

Номер патента: 5095

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Федерико ПАВАН, Пьетро КАВАЛЛОТТИ

МПК: B29C 70/00, C23C 2/38, C25D 5/00...

Метки: проволоке, усиливающая, стального, изготовлении, обработанной, усиливающих, поверхностью, конструкций, металлическая, содержащегося, изделий, констру, сердечника, варианты, поверхности, плакирования, материалов, проволока, способ, эластомерных, используемая

Текст:

...в концентрации от 80 до 120 г/л сульфат аммония в концентрации от 60 до 90 г/л тиоцианат аммония в концентрации от 40 до 80 г/л. В первой электролитической ванне поддерживают температуру, выбираемую в диапазоне от 20 до 40 С, при значениях рН, лежащих в диапазоне от 4,5 до 5,5, предпочтительно 5,0. К первой электролитической ванне прикладывают катодный ток плотностью от 15 до 25 А/дм 2. Вторая электролитическая ванна содержит гептагидрат...

Способ сварки при изготовлении спирально навиваемой трубы и сварочная головка для выполнения способа

Загрузка...

Номер патента: 2553

Опубликовано: 30.12.1998

Автор: Бломквист Гуннар

МПК: B29C 53/56, B29C 65/72, B29C 65/40...

Метки: способа, способ, выполнения, навиваемой, спирально, головка, сварки, изготовлении, сварочная, трубы

Текст:

...бруска, а также нижнюю сварочную зону с отверстиями для подачи горячего воздуха и отверстиями для подачи сварочной массы для выполнения внутреннего сварного шва. Отверстия для подачи горячего воздуха расположены в плугообразной скошенной передней части верхней и нижней сварочных зон, при этом каждое отверстие для подачи сварочной массы снабжено расточкой для изменения ширины наносимых порций сварочной массы. Воздушные отверстия соединены...