Патенты с меткой «изготовлении»

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/311

Метки: реставрации, пластин, поликристаллического, микросхем, интегральных, способ, изготовлении, кремния, пленкой

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, B08B 3/12

Метки: способ, изготовлении, интегральных, микросхем, контактных, полимера, окнах, удаления

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, бора, планарных, твердых, микроэлектроники, композиция, изделий, источников, получения

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: изготовлении, металлизации, удаления, полупроводниковых, системы, приборов, состав, фоторезиста

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, полупроводниковых, приборных, изготовлении, обработки, радиационной, способ, структур, приборов

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ подготовки вторичного волокна при изготовлении целлюлозосодержащего волокнистого материала

Загрузка...

Номер патента: 15335

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Черная Наталья Викторовна, Костюкевич Андрей Валентинович, Чубис Павел Анатольевич, Жолнерович Наталья Викторовна, Драпеза Андрей Анатольевич

МПК: D21C 5/02

Метки: вторичного, целлюлозосодержащего, подготовки, способ, волокна, материала, изготовлении, волокнистого

Текст:

...режим подготовки вторичного волокна (макулатурной массы) направлен на восстановление бумагообразующих свойств волокон и обесцвечивание макулатурных волокон за счет удаления с их поверхности частиц типографской краски и пигментов. Изобретение иллюстрируется следующими примерами его осуществления. Пример 1. Для лабораторных исследований используют вторичное волокно - макулатуру марки МС-7 Б (ГОСТ 10700-97). Подготовку макулатуры...

Устройство для получения негативной модели при изготовлении индивидуальных ортезов стоп

Загрузка...

Номер патента: U 7374

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Свириденок Анатолий Иванович, Лашковский Владимир Владимирович, Шашура Люцина Иосифовна

МПК: A61F 5/14

Метки: устройство, получения, модели, ортезов, негативной, индивидуальных, изготовлении, стоп

Текст:

...из сыпучего формовочного материала, заключенного в эластичную воздухонепроницаемую оболочку при вакуумном упрочении с индивидуальным учетом влияния формы внутренней опорной поверхности конкретной обуви на 2 73742011.06.30 анатомическую коррекцию свода стопы. Недостатком данного технического решения является то, что применение вакуума технически достаточно сложно и недостаточно точно для получения анатомических профилей стоп. Технической...

Способ модифицирования карбонатного наполнителя при изготовлении бумаги для печати

Загрузка...

Номер патента: 13858

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Пенкин Антон Анатольевич, Темрук Владимир Игнатьевич, Соловьева Тамара Владимировна

МПК: D21H 21/00, D21H 17/00

Метки: модифицирования, печати, карбонатного, наполнителя, бумаги, способ, изготовлении

Текст:

...с источником 5, в пределах 8-18 мкм. После проведения процесса модифицирования наполнителя устанавливают ту частоту вращения перемешивающего устройства, которая исключает оседание частиц суспензии модифицированного наполнителя, и осуществляют ее введение в бумажную массу самотеком в количестве, необходимом для достижения требуемого содержания наполнителя в бумаге. Емкости для модифицирования наполнителя 4 работают в поочередном режиме,то...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Родин Георгий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: интегральных, схем, изготовлении, микрорельефа, планаризации, способ

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Мойсейчук Константин Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Бересневич Людмила Брониславовна, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: схем, получения, изготовлении, источников, композиция, полупроводниковых, твердых, бора, интегральных, приборов

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, способ, твердых, диффузии, бора, приборов, источников, интегральных, микросхем, изготовлении

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, приборов, жизни, неосновных, регулирования, заряда, полупроводниковых, способ, быстродействующих, носителей, времени

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: удаления, полимерных, микросхем, изготовлении, состав, остатков, кремниевых, металло-кремнийорганических, интегральных

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Пленкообразующая композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, изготовлении, пленкообразующая, твердых, полупроводниковых, источников, получения, приборов, композиция

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Металлическая проволока с обработанной поверхностью, используемая при изготовлении усиливающих конструкций изделий из эластомерных материалов, способ плакирования поверхности стального сердечника, содержащегося в проволоке (варианты), усиливающая констру

Загрузка...

Номер патента: 5095

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Федерико ПАВАН, Пьетро КАВАЛЛОТТИ

МПК: B29C 70/00, C23C 2/38, C25D 5/00...

Метки: используемая, изготовлении, проволоке, сердечника, стального, усиливающая, проволока, обработанной, плакирования, усиливающих, эластомерных, поверхности, способ, изделий, содержащегося, материалов, металлическая, варианты, поверхностью, констру, конструкций

Текст:

...в концентрации от 80 до 120 г/л сульфат аммония в концентрации от 60 до 90 г/л тиоцианат аммония в концентрации от 40 до 80 г/л. В первой электролитической ванне поддерживают температуру, выбираемую в диапазоне от 20 до 40 С, при значениях рН, лежащих в диапазоне от 4,5 до 5,5, предпочтительно 5,0. К первой электролитической ванне прикладывают катодный ток плотностью от 15 до 25 А/дм 2. Вторая электролитическая ванна содержит гептагидрат...

Способ сварки при изготовлении спирально навиваемой трубы и сварочная головка для выполнения способа

Загрузка...

Номер патента: 2553

Опубликовано: 30.12.1998

Автор: Бломквист Гуннар

МПК: B29C 53/56, B29C 65/72, B29C 65/40...

Метки: спирально, способ, головка, сварочная, трубы, навиваемой, изготовлении, выполнения, способа, сварки

Текст:

...бруска, а также нижнюю сварочную зону с отверстиями для подачи горячего воздуха и отверстиями для подачи сварочной массы для выполнения внутреннего сварного шва. Отверстия для подачи горячего воздуха расположены в плугообразной скошенной передней части верхней и нижней сварочных зон, при этом каждое отверстие для подачи сварочной массы снабжено расточкой для изменения ширины наносимых порций сварочной массы. Воздушные отверстия соединены...