Патенты с меткой «изготовлении»

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: пластин, реставрации, микросхем, кремния, поликристаллического, способ, интегральных, пленкой, изготовлении

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: интегральных, микросхем, полимера, контактных, способ, изготовлении, удаления, окнах

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: получения, бора, изготовлении, композиция, твердых, изделий, микроэлектроники, источников, планарных

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: приборов, системы, состав, удаления, металлизации, полупроводниковых, фоторезиста, изготовлении

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, радиационной, обработки, приборов, полупроводниковых, приборных, структур, быстродействующих, изготовлении

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ подготовки вторичного волокна при изготовлении целлюлозосодержащего волокнистого материала

Загрузка...

Номер патента: 15335

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Жолнерович Наталья Викторовна, Черная Наталья Викторовна, Чубис Павел Анатольевич, Драпеза Андрей Анатольевич, Костюкевич Андрей Валентинович

МПК: D21C 5/02

Метки: волокнистого, волокна, вторичного, материала, способ, подготовки, изготовлении, целлюлозосодержащего

Текст:

...режим подготовки вторичного волокна (макулатурной массы) направлен на восстановление бумагообразующих свойств волокон и обесцвечивание макулатурных волокон за счет удаления с их поверхности частиц типографской краски и пигментов. Изобретение иллюстрируется следующими примерами его осуществления. Пример 1. Для лабораторных исследований используют вторичное волокно - макулатуру марки МС-7 Б (ГОСТ 10700-97). Подготовку макулатуры...

Устройство для получения негативной модели при изготовлении индивидуальных ортезов стоп

Загрузка...

Номер патента: U 7374

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Шашура Люцина Иосифовна, Лашковский Владимир Владимирович, Свириденок Анатолий Иванович

МПК: A61F 5/14

Метки: устройство, стоп, индивидуальных, модели, негативной, изготовлении, ортезов, получения

Текст:

...из сыпучего формовочного материала, заключенного в эластичную воздухонепроницаемую оболочку при вакуумном упрочении с индивидуальным учетом влияния формы внутренней опорной поверхности конкретной обуви на 2 73742011.06.30 анатомическую коррекцию свода стопы. Недостатком данного технического решения является то, что применение вакуума технически достаточно сложно и недостаточно точно для получения анатомических профилей стоп. Технической...

Способ модифицирования карбонатного наполнителя при изготовлении бумаги для печати

Загрузка...

Номер патента: 13858

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Соловьева Тамара Владимировна, Пенкин Антон Анатольевич, Темрук Владимир Игнатьевич

МПК: D21H 17/00, D21H 21/00

Метки: печати, изготовлении, способ, модифицирования, наполнителя, карбонатного, бумаги

Текст:

...с источником 5, в пределах 8-18 мкм. После проведения процесса модифицирования наполнителя устанавливают ту частоту вращения перемешивающего устройства, которая исключает оседание частиц суспензии модифицированного наполнителя, и осуществляют ее введение в бумажную массу самотеком в количестве, необходимом для достижения требуемого содержания наполнителя в бумаге. Емкости для модифицирования наполнителя 4 работают в поочередном режиме,то...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Родин Георгий Федорович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/70

Метки: изготовлении, интегральных, способ, схем, планаризации, микрорельефа

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Мойсейчук Константин Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна

МПК: H01L 21/02

Метки: получения, изготовлении, интегральных, приборов, источников, твердых, композиция, схем, бора, полупроводниковых

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, полупроводниковых, бора, твердых, способ, изготовлении, диффузии, приборов, микросхем, источников

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: жизни, полупроводниковых, неосновных, способ, быстродействующих, заряда, регулирования, изготовлении, времени, носителей, приборов

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C11D 7/60, H01L 21/70

Метки: остатков, полимерных, микросхем, изготовлении, интегральных, металло-кремнийорганических, кремниевых, удаления, состав

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Пленкообразующая композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Бересневич Людмила Брониславовна, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Мойсейчук Константин Леонидович

МПК: H01L 21/225

Метки: твердых, получения, изготовлении, приборов, пленкообразующая, полупроводниковых, композиция, источников, бора

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Металлическая проволока с обработанной поверхностью, используемая при изготовлении усиливающих конструкций изделий из эластомерных материалов, способ плакирования поверхности стального сердечника, содержащегося в проволоке (варианты), усиливающая констру

Загрузка...

Номер патента: 5095

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Федерико ПАВАН, Пьетро КАВАЛЛОТТИ

МПК: C25D 5/00, B29C 70/00, C23C 2/38...

Метки: проволока, проволоке, плакирования, сердечника, поверхности, изделий, конструкций, используемая, обработанной, изготовлении, констру, способ, материалов, варианты, содержащегося, усиливающих, стального, эластомерных, металлическая, поверхностью, усиливающая

Текст:

...в концентрации от 80 до 120 г/л сульфат аммония в концентрации от 60 до 90 г/л тиоцианат аммония в концентрации от 40 до 80 г/л. В первой электролитической ванне поддерживают температуру, выбираемую в диапазоне от 20 до 40 С, при значениях рН, лежащих в диапазоне от 4,5 до 5,5, предпочтительно 5,0. К первой электролитической ванне прикладывают катодный ток плотностью от 15 до 25 А/дм 2. Вторая электролитическая ванна содержит гептагидрат...

Способ сварки при изготовлении спирально навиваемой трубы и сварочная головка для выполнения способа

Загрузка...

Номер патента: 2553

Опубликовано: 30.12.1998

Автор: Бломквист Гуннар

МПК: B29C 65/72, B29C 65/40, B29C 53/56...

Метки: выполнения, головка, спирально, навиваемой, способ, изготовлении, сварки, сварочная, способа, трубы

Текст:

...бруска, а также нижнюю сварочную зону с отверстиями для подачи горячего воздуха и отверстиями для подачи сварочной массы для выполнения внутреннего сварного шва. Отверстия для подачи горячего воздуха расположены в плугообразной скошенной передней части верхней и нижней сварочных зон, при этом каждое отверстие для подачи сварочной массы снабжено расточкой для изменения ширины наносимых порций сварочной массы. Воздушные отверстия соединены...