Патенты с меткой «интегральных»

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: кремния, способ, интегральных, поликристаллического, пластин, пленкой, реставрации, изготовлении, микросхем

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Колос Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 21/44, B08B 7/00

Метки: производства, формирования, микросхем, пленки, силицида, интегральных, титана, способ

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: интегральных, изготовлении, микросхем, контактных, окнах, полимера, удаления, способ

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Хмыль Александр Александрович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Алиева Наталья Васильевна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Трусов Виктор Леонидович

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральных, конденсатор, микросхем

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: создании, источников, схем, изготовления, интегральных, планарных, приборов, способ, полупроводниковых, бора, твердых

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Материал для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 14648

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна

МПК: H01C 7/00, C22C 28/00

Метки: элементов, тонкопленочных, резистивных, интегральных, микросхем, материал

Текст:

...изобретения заключается в том, что заявляемому материалу для тонкопленочных резистивных элементов интегральных микросхем, содержащему хром, кобальт и кремний, вышеуказанный технический результат обеспечивается тем, что материал дополнительно содержит лантан при следующем соотношении компонентов,мас.хром - 8-12 кобальт - 5-9 кремний - 55-69 лантан - 18-24. В предлагаемом изобретении приемлемые для изготовления мишеней магнетронных...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Родин Георгий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/70, H01L 21/02

Метки: интегральных, изготовлении, схем, способ, планаризации, микрорельефа

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Экструдер для термомеханического рециклинга отходов интегральных полиуретанов

Загрузка...

Номер патента: U 5320

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Бровко Сергей Владимирович, Матвеев Андрей Константинович, Новиков Александр Кузьмич, Пятов Владислав Владимирович, Голубев Алексей Николаевич, Матвеев Константин Сергеевич

МПК: C08G 18/00

Метки: рециклинга, термомеханического, отходов, интегральных, полиуретанов, экструдер

Текст:

...состояние. Под действием температуры находящаяся в порах полиуретана влага испаряется и перемещается в сторону наименьшего сопротивления - к загрузочному бункеру. При этом пар проходит через засыпанный в бункер влажный материал и еще больше его увлажняет. Не имея возможности выхода, влага, при превышении определенного предела, начинает перемещаться к выходной фильере, насыщая композиционный материал, находящийся в межвитковом...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Бересневич Людмила Брониславовна, Кузик Сергей Владимирович, Мойсейчук Константин Леонидович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, твердых, интегральных, схем, получения, источников, бора, приборов, композиция, полупроводниковых

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Полиимидная композиция для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глоба Анастасия Ивановна, Галиева Жаннета Николаевна, Глоба Иван Иванович, Крутько Эльвира Тихоновна, Жарская Тамара Александровна

МПК: C08L 79/00

Метки: защиты, приборов, композиция, кристаллов, интегральных, схем, полиимидная, полупроводниковых

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, микросхем, диффузии, интегральных, приборов, бора, твердых, источников, способ, изготовлении

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, источников, схем, изготовления, приборов, бора, создании, планарных, интегральных, твердых, способ

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарный, диффузии, схем, твердый, полупроводниковых, интегральных, источник, приборов, изготовления, бора

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: изготовлении, микросхем, кремниевых, полимерных, состав, интегральных, остатков, удаления, металло-кремнийорганических

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Ануфриев Леонид Петрович, Малый Игорь Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Войтех Сергей Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Леонид Петрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: микросхем, интегральных, конденсатор

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Способ изготовления системы металлизации интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/28, C23C 14/00...

Метки: схем, системы, способ, интегральных, металлизации, изготовления

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Способ изготовления межкомпонентной изоляции интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 6943

Опубликовано: 30.03.2005

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Болдышева Ирина Петровна, Прудник Александр Михайлович

МПК: H01L 21/76

Метки: микросхем, изоляции, интегральных, способ, изготовления, межкомпонентной

Текст:

...степень интеграции компонентов ИМС.Так, с разрешающей способностью литографии 3,6 мкм по цирконию, после операции гидрирования металла, толщиной 1 мкм зазор получается равным 1 мкм, что дает вь 1 игрь 1 ш 3 мкм на каждой разделительной канавке.Способ позволяет повысить степень интеграции компонентов интегральных схем, а также существенно снизить температуру обработки металла.На фиг. 1 (а-е) изображены отдельные этапы технологического процесса...

Способ изготовления кремниевых МДП – интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 6430

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/26, H01L 21/268

Метки: кремниевых, мдп, способ, изготовления, схем, интегральных

Текст:

...чем клтр кремния, то в пленке нитрида кремния на границе с оксидом возникают еще большие механические напряжения, чем в кремнии. По этой причине основная часть загрязняющей примеси из кремния и оксида кремния переходит в нитрид кремния, который затем удаляется. Этот переход происходит при термообработке, каковой является операция локального окисления кремния. Таким образом, нитрид кремния является своеобразным встроенным геттером для...

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 6429

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/76, H01L 21/316

Метки: способ, интегральных, схем, кмдп, изоляции, межкомпонентной, изготовления

Текст:

...счет снижения дефектности подложки в области изолирующего перехода и уровней механических напряжений в ней. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающем формирование областей карманов в кремниевой подложке, нанесение нитридной маски, подлегирование подложки с активизацией примеси путем термообработки в атмосфере инертного газа для получения - охранных областей,...

Способ изготовления полупроводниковых интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 3700

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Юшкевич Геннадий Иосифович, Бордодынов Александр Петрович

МПК: H01L 21/308

Метки: схем, способ, полупроводниковых, изготовления, интегральных

Текст:

...слое вне областей вскрытия окон в защитном проводящем и изолирующем слоях. Таким образом, второй проводящий слой формируется не только на защитном проводящем слое и на полупроводниковом слое (во вскрытых контактных окнах), а и на тонком изолирующем слое во вскрытых во время дополнительной фотолитографии окнах. Введение дополнительной операции позволит обеспечить гарантированно надежное соединение элементов металлической разводки с...

Способ создания металлизации полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2823

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Пилипенко Владимир Александрович, Чигирь Григорий Григорьевич, Пономарь Владимир Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/324

Метки: создания, интегральных, полупроводниковых, металлизации, способ, схем, приборов

Текст:

...поверхности плнок алюминия после таких термообработок является практически отсутствие бугров и плнки остаются стабильными по структуре при проведении последующих операций фотолитографии высота бугров на плнках алюминия, измеренная на растровом электронном микроскопе после термообработки в предлагаемых режимах, проведения операций плазмохимического травления алюминия и удаление фоторезистора не превышает 0,10-0,15 мкм высота бугров на...

Накопительный конденсатор элемента памяти интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2639

Опубликовано: 30.03.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Цыбулько Игорь Александрович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Смаль Игорь Вацлавович

МПК: H01L 29/92, H01L 27/10

Метки: конденсатор, интегральных, схем, элемента, памяти, накопительный

Текст:

...3, разделительную область 4 из диэлектрического материала повторяющую рельеф первой обкладки, вторую обкладку 5 из легированного поликремния, нижняя поверхность которой повторяет рельеф первой. Работа накопительного конденсатора идентична работе типового однотранзисторного элемента памяти динамического запоминающего устройства. В техническом решении по изобретению получается канавка с несколькими проводящими перегородками, что позволяет не...

Способ изготовления горизонтальных р-п-р транзисторов для интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 2336

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Балбуцкий Сергей Васильевич, Гайдук Сергей Иванович, Сасновский Владимир Арестархович, Чаусов Виктор Николаевич

МПК: H01L 21/265

Метки: р-п-р, интегральных, горизонтальных, транзисторов, схем, способ, изготовления

Текст:

...и пленки двуокиси кремния СУМР ной толщиойсО 3 мкм. Методом ФОТОлитографии и травления пленки и слоя двуокиси кремния вскрыаются контактные отверстия к областям итеГР 8 ПЬ Ной схемы. Методом фотолитографии формируютфотореэнстнвную маску С Отверстием над областью контакта К КОЛ лектору прптранэистора. СЛУЖЗЩЕГО одновременно контактом к базовой Об 50ппантацией ионов фосфора с ЗНЕРГНЭЙ 30 кэВ и поверхностной концентрациейконтакта области базы...

Способ изготовления металлизации интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 240

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Мозалев А. М., Ерема В. В., Михайлова Л. Н., Попов Ю. П., Сурганов В. Ф., Лабунов В. А., Дударчик А. И., Захарчук А. С.

МПК: H01L 21/28

Метки: изготовления, металлизации, способ, интегральных, микросхем

Текст:

...масок из 130 НМ И 160 НМ ПРИ ПОМОЩИ Ф 0 Т 0 ЛИТ 0вспомогательной пленки ВМ и недопус- графин ФОПМИРОБЭЛИ МЗСКУ ИЗ Фоторетимое возрастание непланарности ме ЗИСТЭ На Участках контактных окон и таллизации Нижняя граница диапазона Га 3 хМЧеСК Удаляли ОТКРЫТЫЕ к предотвращает при плотном аноди 10 участки защитной пленки ВН. После ровании сквозное электрохимическое снятия ФОТОРЕЗИСТЭ ПРОБОДИПИ-СКВОЗНОВ прокисление защитной пленки ВМ. При...