Патенты с меткой «интегральной»

Способ герметизации корпуса интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Довженко Александр Алексеевич, Зубович Анатолий Николаевич

МПК: H01L 21/56, H01L 31/0203

Метки: корпуса, герметизации, интегральной, схемы, способ

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шикуло Владимир Евгеньевич, Солодуха Виталий Александрович, Ефименко Сергей Афанасьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Малый Игорь Васильевич

МПК: H01L 21/77, H01L 27/04

Метки: интегральной, кремниевой, изготовления, микросхемы, способ

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Лемешевская Алла Михайловна, Лукашова Надежда Васильевна, Сорока Сергей Александрович

МПК: H01L 21/8238, H01C 1/00, H01C 7/00...

Метки: изготовления, резистора, высокоомного, схемы, способ, кмоп, полупроводникового, интегральной

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Довнар Николай Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: схемы, металлизация, интегральной

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ оценки интегральной токсичности твердого или жидкого объекта окружающей среды

Загрузка...

Номер патента: 13064

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Котеленец Антонина Ивановна, Дудчик Наталья Владимировна, Соколов Сергей Михайлович, Мельникова Людмила Александровна

МПК: C12Q 1/02

Метки: объекта, интегральной, или, жидкого, способ, оценки, окружающей, среды, токсичности, твердого

Текст:

...тест-штаммБИМ В-6 в жидкой питательной среде, содержащей образец исследуемого объекта, и в жидкой питательной среде, не содержащей образец исследуемого объекта, с регистрацией импедиметрически времени детекции роста тест-штамма, рассчитывают показатель интегральной токсичности объектапо формуле 2,1 где 1 - время детекции роста тест-штамма в среде, не содержащей образец исследуемого объекта, час 2 - время детекции роста тест-штамма...

Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Сякерский Валентин Степанович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 49/02, H01L 29/00

Метки: кремниевой, интегральной, микросхемы, тонкопленочный, интегральный, резистор

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Способ изготовления резистивно-коммутационной тонкопленочной интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 6613

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Уткина Елена Апполинарьевна, Воробьева Алла Ильинична, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 49/02

Метки: тонкопленочной, способ, резистивно-коммутационной, изготовления, интегральной, микросхемы

Текст:

...в слое. Затем формируют дорожки межсоединений последующих уровней металлизации повторением операций осаждения пленки А, маскирования и анодного оксидирования. Это дает возможность получения резисторов с широким диапазоном номиналов от(1050)Ом до 100 Мом и ТКС (10-4104). Так как тонкопленочные резисторы изготавливаются на планарной поверхности подложки, они имеют высокую точность номиналов из-за значительного упрощения технологического...

Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества

Загрузка...

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Усов Геннадий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Лемешевская Алла Михайловна, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: H01L 29/06

Метки: статического, интегральной, выходного, элемент, электричества, защиты, транзистора, схемы, моп

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...