Патенты с меткой «галлия»

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 21/02, B82B 3/00, H01L 33/00...

Метки: эпитаксиальному, p-gan, слою, прозрачного, галлия, изготовления, контакта, омического, нитрида, способ

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Пассивирующее покрытие для подложек из арсенида галлия

Загрузка...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Малькевич Владимир Эдуардович, Юрченок Лариса Григорьевна, Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/316

Метки: покрытие, арсенида, подложек, пассивирующее, галлия

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Маска для ионного легирования арсенида галлия

Загрузка...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01L 21/266

Метки: маска, ионного, легирования, арсенида, галлия

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...