Патенты с меткой «gaas-элемента»

Способ создания термочувствительного GaAs-элемента

Загрузка...

Номер патента: 11192

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02, C30B 33/00, C30B 29/10...

Метки: способ, gaas-элемента, создания, термочувствительного

Текст:

...основных носителей заряда и их подвижность будут снижаться, что приведет к снижению электропроводности исходного материала. Начальная скорость удаления носителей для электронов с энергиями 2,5 и 10 МэВ составляет соответственно 5 и 9 см-1. Согласно модели радиационных нарушений полупроводников,степень заполнения ловушек, т. е. изменение концентрации носителей, зависит от положения уровня Ферми по отношению к уровню дефекта, которое...