Патенты с меткой «электронов»

Плазменный источник электронов

Загрузка...

Номер патента: 15662

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Груздев Владимир Алексеевич, Залесский Виталий Геннадьевич, Русецкий Игорь Станиславович

МПК: H01J 3/00

Метки: электронов, плазменный, источник

Текст:

...плазмообразующего газа. Под катодом 2 размещен дополнительный электрически изолированный электрод 6, имеющий отверстие 7 - эмиссионный канал. Под дополнительным электродом 6 установлен ускоряющий электрод 8 с отверстием 9 для прохождения электронного пучка. В отражательном катоде 2 имеется отверстие 10. Диаметр эмиссионного канала 7 меньше диаметра отверстия 10 в отражательном катоде 2. Все элементы устройства, за исключением анода,...

Источник электронов с плазменным эмиттером для получения радиального пучка

Загрузка...

Номер патента: U 4995

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Антонович Дмитрий Анатольевич, Залесский Виталий Геннадьевич, Груздев Владимир Алексеевич

МПК: H01J 3/00

Метки: пучка, источник, радиального, эмиттером, плазменным, получения, электронов

Текст:

...магниты, расположенные между внешним и внутренним катодами над анодом, и цилиндрический полый катод, размещенный в нижней части источника соосно внешнему и внутреннему катодам, причем все катоды выполнены из магнитного материала, по оси внутреннего катода выполнен канал для напуска газа, а эмиссионные каналы образованы отверстиями в полом катоде и соосными им отверстиями во внешнем катоде. Такая конфигурация магнитов, катодов и анода...

Плазменный источник электронов

Загрузка...

Номер патента: 7573

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Груздев Владимир Алексеевич, Залесский Виталий Геннадьевич

МПК: H01J 3/02

Метки: источник, плазменный, электронов

Текст:

...в область повышенных значений и, тем самым, значительное увеличение области технологического применения источника. Поставленная задача решается тем, что в плазменном источнике электронов, включающем размещенные по одной оси два катода, главный анод и ускоряющий электрод, а также эмиссионный канал и постоянные магниты, в отличие от прототипа имеется вспомогательный анод, расположенный под внешним катодом, главный анод расположен между 2...

Ускоритель плазмы с замкнутым дрейфом электронов

Загрузка...

Номер патента: 4852

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Гопанчук Владимир Васильевич, Сорокин Игорь Борисович

МПК: F03H 1/00, H05H 1/54

Метки: дрейфом, плазмы, ускоритель, замкнутым, электронов

Текст:

...зоны ионизации в пристеночной области соизмерима или даже меньше длины фактической ионизации поступающих в эту зону нейтральных атомов рабочего газа. Поэтому для того, чтобы расширить эту зону целесообразно разместить поверхность анода как можно ближе к магнитным экранам, которые конструктивно лимитируют возможность увеличения ширины разрядной камеры. В этом плане предлагаемое техническое решение является вариантом, когда сами магнитные экраны...

Плазменный источник электронов с пучком большого сечения

Загрузка...

Номер патента: U 469

Опубликовано: 30.03.2002

Авторы: Залесский Виталий Геннадьевич, Груздев Владимир Алексеевич, Голубев Юрий Петрович

МПК: H01J 3/04

Метки: сечения, электронов, пучком, плазменный, большого, источник

Текст:

...состоящем из газоразрядной камеры, которая включает в себя два катода, анод и постоянные магниты,и из формирователя-расширителя с эмиттерным сеточным электродом, в отличие от прототипа эмиттерный электрод выполнен в виде двух эквипотенциальных сеток с расстоянием между ними, равным 0,8-2 размера ячейки сетки, т.е. в источнике применена новая двухсеточная схема стабилизации эмитирующей плазменной поверхности. На фигуре представлен заявляемый...

Плазменный источник электронов

Загрузка...

Номер патента: U 220

Опубликовано: 30.12.2000

Авторы: Залесский Виталий Геннадьевич, Груздев Владимир Алексеевич

МПК: H01J 3/04

Метки: плазменный, источник, электронов

Текст:

...при сравнительно невысоких ускоряющих напряжениях и усугубляется с повышением давления. Основной задачей полезной модели является расширение диапазона рабочих давлений, в котором параметры электронного пучка остаются устойчивыми, в область повышенных значений и тем самым значительное увеличение области технологического применения источника. Поставленная задача решается тем, что в плазменном источнике электронов, включающем размещенные...