Патенты с меткой «диода»

Солнечный элемент на основе диода Шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродом

Загрузка...

Номер патента: U 10183

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Смирнов Александр Георгиевич, Сацкевич Янина Владимировна, Степанов Андрей Анатольевич, Муха Евгений Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 31/06, H01L 31/108, H01L 27/14...

Метки: основе, солнечный, электродом, элемент, наноячеистым, металлическим, полупрозрачным, диода, шоттки

Текст:

...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Бармин Михаил Дмитриевич, Сарычев Олег Эрнстович, Ковальчук Наталья Станиславовна, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, способ, диода, изготовления

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Комаров Фадей Фадеевич, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Мильчанин Олег Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, диода, шоттки

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, изготовления, способ, шоттки

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Шамягин Виктор Павлович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Токарев Владимир Васильевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: шоттки, способ, диода, изготовления

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Способ получения контактного соединения активного элемента диодного лазера, выполненного в виде лазерного диода или диодной линейки

Загрузка...

Номер патента: 12719

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Рябцев Андрей Геннадьевич, Щемелев Максим Анатольевич, Паращук Валентин Владимирович, Жиздюк Татьяна Борисовна, Рябцев Геннадий Иванович, Пожидаев Александр Викторович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Микаелян Геворк Татевосович, Богданович Максим Владимирович, Енжиевский Алексей Иванович, Соколов Сергей Николаевич

МПК: H01S 3/00, H01L 21/02

Метки: способ, лазерного, линейки, контактного, элемента, активного, лазера, соединения, диода, или, диодного, получения, диодной, виде, выполненного

Текст:

...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, способ, изготовления, шоттки

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: диода, шоттки, изготовления, способ

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: шоттки, изготовления, диода, способ

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 29/872, H01L 21/329

Метки: способ, диода, шоттки, изготовления

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Кузик Сергей Владимирович, Пеньков Анатолий Петрович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/328, H01L 29/47, H01L 21/329...

Метки: способ, шоттки, диода, изготовления

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....

Способ изготовления светоизлучающего диода

Загрузка...

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Закроева Нина Михайловна, Корытько Дмитрий Константинович, Савостьянова Наталья Александровна, Лойко Галина Ивановна

МПК: H01L 33/00

Метки: светоизлучающего, способ, изготовления, диода

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...