Патенты с меткой «диода»

Солнечный элемент на основе диода Шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродом

Загрузка...

Номер патента: U 10183

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Смирнов Александр Георгиевич, Степанов Андрей Анатольевич, Соловьев Ярослав Александрович, Сацкевич Янина Владимировна, Муха Евгений Владимирович

МПК: H01L 31/108, H01L 31/06, H01L 27/14...

Метки: элемент, солнечный, металлическим, электродом, диода, основе, наноячеистым, шоттки, полупрозрачным

Текст:

...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Ковальчук Наталья Станиславовна, Бармин Михаил Дмитриевич, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, изготовления, способ, диода

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Мильчанин Олег Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, шоттки, способ, диода

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, диода, шоттки, изготовления

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Токарев Владимир Васильевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Шамягин Виктор Павлович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, шоттки, изготовления, способ

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Способ получения контактного соединения активного элемента диодного лазера, выполненного в виде лазерного диода или диодной линейки

Загрузка...

Номер патента: 12719

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Микаелян Геворк Татевосович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Богданович Максим Владимирович, Енжиевский Алексей Иванович, Рябцев Геннадий Иванович, Жиздюк Татьяна Борисовна, Пожидаев Александр Викторович, Соколов Сергей Николаевич, Щемелев Максим Анатольевич, Паращук Валентин Владимирович, Рябцев Андрей Геннадьевич

МПК: H01S 3/00, H01L 21/02

Метки: соединения, виде, линейки, диодной, способ, элемента, лазерного, диода, получения, или, диодного, активного, лазера, выполненного, контактного

Текст:

...из соответствующего условия. При этом равномерность и избирательность нанесения слоя припоя под элементом достигается как за счет локально сформированной полоски золота, например путем напыления, так и вследствие капиллярности распространения припоя под припаиваемым элементом. Недостаток данного метода заключается в том, что для фиксации устанавливаемого элемента и, следовательно, повышения точности позиционирования требуется применение...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, диода, изготовления, шоттки

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, диода, шоттки

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, шоттки, изготовления, способ

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/872, H01L 21/329

Метки: шоттки, диода, изготовления, способ

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Пеньков Анатолий Петрович, Карпов Иван Николаевич

МПК: H01L 29/47, H01L 21/328, H01L 21/329...

Метки: изготовления, диода, способ, шоттки

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....

Способ изготовления светоизлучающего диода

Загрузка...

Номер патента: 4669

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Лойко Галина Ивановна, Корытько Дмитрий Константинович, Савостьянова Наталья Александровна, Закроева Нина Михайловна

МПК: H01L 33/00

Метки: диода, светоизлучающего, изготовления, способ

Текст:

...структура после утонения пластины до 110 мкм и формирования омического контакта - к подложке. На фиг. 7 представлена структура после травления подложки через маски разнотолщинных резистов. На фиг. 8 представлена структура после формирования линзы. Пример осуществления способа. Для изготовления СИД в качестве полупроводникового материала используют п- подложку, на которой методом жидкофазной эпитаксии выращены п- буферный слой толщиной 5 мкм,...