Патенты с меткой «диффузии»

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, полупроводниковых, приборов, диффузии, акцепторных, примесей, пластины, способ, изготовления, кремниевые

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ определения коэффициента диффузии Cr в ZnSe

Загрузка...

Номер патента: 13546

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович

МПК: G01N 13/00

Метки: способ, коэффициента, определения, диффузии

Текст:

...слоя измеряют оптическую плотность пластины А и определяют коэффициент диффузиииз выражения 2 где 0 - поверхностная концентрация- координата вдоль направления диффузии- время процесса отжига,и затем определяют искомый коэффициент диффузиив соответствии с выражением. Новым, по мнению авторов, является то, что процесс отжига происходит в течение 6 ч при температуре 10431,0 С, толщина удаляемого слоя составляет 6020 мкм, процедуруопределяют...

Пленкообразующая композиция для диффузии алюминия в кремний

Загрузка...

Номер патента: 12893

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Мойсейчук Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Бересневич Людмила Брониславовна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: алюминия, пленкообразующая, диффузии, кремний, композиция

Текст:

...позволяет снизить количество неконтролируемых примесей и улучшить 2 12893 1 2010.02.28 качество легированных стекол для диффузии алюминия. При содержании ТЭОС менее 15,0 мас.в осажденных пленках содержится недостаточно нитрата алюминия для обеспечения требуемого содержания диффузанта, и глубина диффузии уменьшается. При содержании ТЭОС более 17,0 мас.образуется студенистая масса, которая непригодна для нанесения пленок диффузанта...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кресло Сергей Михайлович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, приборов, кремниевые, способ, полупроводниковых, пластины, акцепторных, изготовления, диффузии, примесей

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, полупроводниковых, изготовлении, бора, диффузии, микросхем, способ, источников, твердых, приборов

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, интегральных, планарный, полупроводниковых, диффузии, твердый, бора, схем, источник, изготовления

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...