Патенты с меткой «быстродействующих»

Способ изготовления силовых быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, ядерно-легированном, полупроводниковых, кремнии, силовых, изготовления, приборов, способ

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: тиристоров, кремния, изготовления, способ, быстродействующих, основе

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Способ изготовления кремниевых быстродействующих приборов

Загрузка...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович

МПК: H01L 21/263

Метки: приборов, способ, изготовления, быстродействующих, кремниевых

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: приборов, полупроводниковых, приборных, быстродействующих, обработки, радиационной, способ, структур, изготовлении

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров

Загрузка...

Номер патента: 15719

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, быстродействующих, тиристоров, изготовления

Текст:

...Сущность изобретения заключается в том, что перед локальным облучением тиристорной структуры, в котором электронному облучению подвергают участок структуры под управляющим электродом, вводят операцию предварительного электронного облучения всего объема структуры. Введение операции предварительного облучения при изготовлении быстродействующих тиристоров позволяет с большей точностью регулировать быстродействие тиристоров, используя для этих...

Способ изготовления быстродействующих транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 14223

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Кульгачев Владимир Ильич

МПК: H01L 21/00

Метки: транзисторов, быстродействующих, способ, изготовления

Текст:

...их в корпуса, за счет электронного облучения и отжига бесспорно технологично, но транзисторные структуры, посаженные в корпуса требуют небольшой корректировки своих параметров по быстродействию (времени выключения). Выбор флюенса повторного облучения (в пределах до 81013 см-2) обусловлен необходимостью получения транзисторов с минимальным разбросом по времени выключения,допустимым изменением статических характеристик и максимальным...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, быстродействующих, кремния, способ, тиристоров, основе

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...

Способ изготовления мощных быстродействующих тиристоров

Загрузка...

Номер патента: 11372

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, мощных, быстродействующих, способ, тиристоров

Текст:

...части -базы. Наличие профиля радиационных дефектов в широкой базе с минимумом концентрации вблизи эмиттерного р-перехода и максимумом у коллекторного рперехода приводит к следующему 1. Область повышенной концентрации рекомбинационных центров оттесняется к коллекторному переходу, т.е. вблизи него создается область повышенной рекомбинации, что способствует увеличению быстродействия при меньшем росте остаточного напряжения. 2. Вблизи анодного...

Способ изготовления быстродействующих высоковольтных диодов

Загрузка...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Кульгачев Владимир Ильич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, диодов, быстродействующих, высоковольтных, способ

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния

Загрузка...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: заряда, полупроводниковых, носителей, приборах, времени, жизни, быстродействующих, способ, базе, неосновных, изготавливаемых, высоковольтных, ядернолегированного, мощных, регулирования, кремния

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, заряда, быстродействующих, времени, носителей, полупроводниковых, приборов, регулирования, неосновных, способ, жизни

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...