Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

Номер патента: 321

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Костомаров В. С., Самойлов В. В., Голубцова Л. А.

Скачать PDF файл.

Текст

Смотреть все

союз СОБЕ ск х социалистических РЕСПУБЛИКгосудАг-ствЕэ-нов пдтентнов ВЕДОМСТВО СССР ГОСПАТЕНТ СССР)(71) Витебское производственное объедине ние Монолит им бО-летия Великого Ок тября(73) Витебское производственное объединение Монолит им. БО-летия Великого Октября .(56) Авторское свидетельство СССР яИзобретение. относится к области ра диоэлектронной техники. в частности к со ставам керамических диэлектриков для изготовления высокочастотных термокампенсирующих конденсаторов, и являетсяусовершенствованием известной шихты ке-Цель изобретения - снижение температурного. коэффициента диэлектрической проницаемости и повышение технологичности. снижение себестоимости изготовления керамики на основе заявляемой шихты.В заявляемой шихте керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих КОНДЕНСЭТОРОВ. содержащей ЗГТЮЭ. СаТЮз. МпСОа и МЬ 2 О 5. поставленная цель достигается тем. что она содержит исходные компоненты в следующем соотношении. масд. Р Е Т Б ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ нумарацъэгатчьт фонд в- А п А. я к ПАТЕНТУ С щ 1 ц ы- 2 у(21) 5012037/33 (54) шихтл для изготовления высо КОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ КОНДЕНСАТОРОВ(57) Использование получение керамичеСКОГО МЗТЕЬИЗЛЗ ДЛЯ БЫСОКОЧЭСТОТНЫХ ТЕВмокомпенсирующих конденсаторов. Сущность изобретения шихте содержит 47-59.48 мас. СаТЮз. 38.40-45.80 мас. гТЮ 3. 2-7 мас. МЬ 2 О 5 и 0512-02 мае/Ъ МлСОз. Положительный аффект температурный коэффициент диэлектрической проницаемости снижен на 15-20. себестоимость - на 3 О-35. выход годных изделий повышен на 15-2036. 1 табл.В данном случае положительный эффект,соответствующий цели изобретения. обеспе ЧИВЕВТСЯ ТЕМ, ЧТО В результате НОВОГО СООТНОШВНИЯ КОМПОНЕНТОВ СНИЖБВТСЯ КОНЦЕНТВЗЦИЯЗг в твердых растворах Сат-хБгхТЮЗ. легиро ванных оксидами ниобия и марганца. до величины Х 0.4. что способствует снижению величины ТКЕ до величины -(1 З 00-1500) 106 1/С при сохранении оптимально высокой величины г (не менее 210). При этом увеличение концентрации МпСО 3 до 0512-02 мас. при снижении количества 5 гТ 1 О 3 на 8-12 ЭЬ позволяет ограничить количество дорогостоящей добавки МЬ 2 О 5 до 2-7 мас. при сохранении высоких электроизоляционных свойств. Одновременно достигается улучшение спеканияМЭТЪЭОИЭЛЕ. УВЭЛИЧЗНИЭ ОТНОСИТЭЛЬНОЙ ПЛОТ ности и снижение разброса ТКЕ в пределах у100 - 165 1/С. что способствует улучшению технологичности, а снижение количества ЗгТЮа и МЬ 2 О 5 способствует сниьчеъчию себестоимости изготовления материала.Предлагаемую шикту керамического материала получают следующим Образом Предварительно известными о керамическом производстве способами получают спеки титанвта кальция м титаната стронция, которые синтезируют при 12201300 С. а затем измельчаърт до удельной поверхности 40005000 см /г. Измельченныесгтеки. взятые в заданномсоотношении. смешивают с требуемым количеством МяСЭа-гегыгшбз. измельчают до 500040000см 2/ту и исполнзуъот для получения диэлект рика тконденсаторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии. например по пленочной технологии с обэкигом ааготовок- конденсаторов при 1220 е 128090.. конкретными примерами заявляемой шихты керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов являются следующие ее составы. масду, к Состав 1 Состав 2 Состав ЗСвойства керамического материала на основе предложенной шихты подтверждаются результатами испытаний. данные о которых-приведеньв в таблице. Как следует из табл. т. предлагаемая усовершенствованная шихте керамического материала практически при совпадающих значениях диэлектрической проницаемости (Е) и диэлектрических потерях (то д) удельного объемного сопротивления при температуре 155 С( рт) керамики на ее основе позволяет снизить ТКЕ до требуемой по ОСТ В.11003 О 1084 величины (4300 4500) 1/С. себестоимость на З 0 З 5. технологический цикл на 50-6091, и повысить выход годных материала на 1520 в сравнении с известной, что свидетельствует о повышении технического и экономического эффекта от использования усовершенствованной шихты. Оптимальность содержания компонентов и их соотношения подтверждается тем,что при введении в состав шихты СаТЮЗ менее минимального количества 47 мас. (выход за состав 1) возрастает количество дорогостоящих 5 гТ 03 и МЬ 205. повышаетсяТКЕ и себестоимость материала. а при введе нии СаТЕОЗ более максимального количества 59.48 мвс. (выход за состав 3) снижается себестоимость. но и диэлектрическая проницаемость, что нецелесообразно.В настоящее время усовершенствованная шихте внедряется в производство керамических монолитных конденсаторов по гр. М 1500 с использованием автоматизированного технологического оборудования и серийно выпускаемых сырьевых материалов.Шихта для изготовления высокочастот л ных термокомпенсирующих конденсаторов.содержащая СаТЮз. БгТЮз. Ноша и масса. отличающаяся тем.что.с идальго снижения температурного коэффициента диэлектрической проницаемости. повышения технологичности и снижения себестоимости изготовления керамики. она содержит указанные компоненты в следующем соотношении. мас. СаТЮз 47.00-594 В ЗгТЮЗ 38.40-45.80 0113205 2.00-7.00 МпСОз 0.120.20Техред Мморгентал Корректор ВЛетрашВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при Г КНТ СССР

МПК / Метки

МПК: C04B 35/46

Метки: высокочастотных, изготовления, конденсаторов, шихта, термокомпенсирующих

Код ссылки

<a href="http://bypatents.com/3-321-shihta-dlya-izgotovleniya-vysokochastotnyh-termokompensiruyushhih-kondensatorov.html" rel="bookmark" title="База патентов Беларуси">Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов</a>

Похожие патенты